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ALD1107PB 参数 Datasheet PDF下载

ALD1107PB图片预览
型号: ALD1107PB
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内容描述: QUAD /双P沟道MOSFET MATCHED ARRAY [QUAD/DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管输入元件
文件页数/大小: 6 页 / 65 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
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绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压,V
GS
功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度10秒
-13.2V
-13.2V
500毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
PA , SA , PB , SB包
DA , DB包
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
ALD1107
参数
栅极阈值
电压
失调电压
V
GS1
-V
GS2
栅极阈值
温度
漂移
2
在漏
当前
ALD1117
最大
-1.0
-0.4
典型值
-0.7
最大
-1.0
单位
V
TEST
条件
I
DS
= -1.0μA V
GS
= V
DS
符号
V
T
-0.4
典型值
-0.7
V
OS
2
10
2
10
mV
I
DS
= -10μA V
GS
= V
DS
TC
VT
-1.3
-1.3
毫伏/°C的
I
DS ( ON)
-1.3
-2
-1.3
-2
mA
V
GS
= V
DS
= -5V
G
IS
∆G
fs
G
OS
0.25
0.67
0.5
40
0.25
0.67
0.5
40
mmho V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
%
μmho
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
不匹配
产量
漏源
抗性
漏源
抗性
不匹配
漏源
击穿
电压
关闭漏
当前
1
栅极泄漏
当前
输入
电容
2
注意事项:
1
2
R
DS ( ON)
1200
1800
1200
1800
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
∆R
DS ( ON)
0.5
0.5
%
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
BV
DSS
-12
-12
V
I
DS
= -1.0μA V
GS
= 0V
I
DS (OFF)的
10
400
4
10
1
3
10
400
4
10
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
V
DS
= -12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
= -12V
T
A
= 125°C
I
GSS
C
国际空间站
0.1
0.1
1
1
由结漏电流的
样品测试参数
ALD1107/ALD1117
先进的线性器件
2