欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

ALD1105PBL 参数 Datasheet PDF下载

ALD1105PBL图片预览
型号: ALD1105PBL
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双N沟道和双P沟道MOSFET MATCHED PAIR [DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 101 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
 浏览型号ALD1105PBL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ALD1105PBL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ALD1105PBL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ALD1105PBL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ALD1105PBL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ALD1105PBL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ALD1105PBL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ALD1105PBL的Datasheet PDF文件第9页  
绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压,V
GS
功耗
工作温度范围
10.6V
10.6V
500mW
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
SBL , PBL包
DB包装
存储温度范围
焊接温度10秒
小心: ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
N - 通道
参数
符号最小值
TYP MAX
栅极阈值V
T
0.4
0.7
1.0
电压
失调电压
V
GS1
- V
GS2
V
OS
2
10
单位
V
TEST
条件
I
DS
= 1μA V
GS
= V
DS
I
DS
= 10μA V
GS
= V
DS
P - 通道
TYP MAX
-0.4
-0.7
-1.0
单位
V
TEST
条件
I
DS
= -1μA V
GS
= V
DS
I
DS
= -10μA V
GS
= V
DS
mV
2
10
mV
栅极阈值
温度
TC
VT
漂移
在漏
当前
传输。
不匹配
产量
漏源
抗性
I
DS ( ON)
G
fs
∆G
fs
G
OS
R
DS ( ON)
3
-1.2
毫伏/°C的
-1.3
毫伏/°C的
4.8
mA
V
GS
= V
DS
= 5V
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
-1.3
-2
mA
V
GS
= V
DS
= -5V
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
1
1.8
mmho
0.25
0.67
mmho
0.5
200
%
μmho
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
0.5
40
%
μmho
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
350
500
1200
1800
漏源
抗性
∆R
DS ( ON)
不匹配
漏源
击穿
电压
关闭漏
当前
栅极泄漏
当前
输入
电容
0.5
%
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
0.5
%
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
BV
DSS
I
DS (关闭)
I
GSS
C
国际空间站
12
V
I
DS
= 1μA V
GS
=0V
V
DS
= 12V我
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
=12V
T
A
= 125°C
-12
V
I
DS
= -1μA V
GS
=0V
V
DS
= -12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
=-12V
T
A
= 125°C
10
400
4
30
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
10
400
4
30
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
0.1
1
1
1
ALD1105
先进的线性器件
2 9