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    ALD1105_12 参数 Datasheet PDF下载

    ALD1105_12图片预览
    型号： ALD1105_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道和双P沟道MOSFET MATCHED PAIR [DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 101 K
    品牌： ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
     浏览型号ALD1105_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ALD1105_12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ALD1105_12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ALD1105_12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ALD1105_12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ALD1105_12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ALD1105_12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ALD1105_12的Datasheet PDF文件第9页  
    典型的N沟道性能特点
    输出特性
    1000
    漏源电流
    （MA ）
    10V
    8V
    10
    6V
    4V
    2V
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    低电压输出
    特征
    漏源电流
    (µA)
    20
    V
    BS
    = 0V
    T
    A
    = 25°C
    V
    GS
    = 12V
    V
    BS
    = 0V
    T
    A
    = 25°C
    500
    V
    GS
    = 12V
    6V
    4V
    2V
    15
    0
    -500
    5
    -1000
    -160
    -80
    0
    80
    160
    漏源极电压（ V）
    漏源电压（MV ）
    正向跨导
    与漏源电压
    正向跨导
    （ mmho ）
    20
    10
    5
    T
    A
    = +125°C
    2
    1
    0.5
    0.2
    0
    2
    4
    I
    DS
    = 1毫安
    6
    8
    10
    12
    20
    传输特性
    与底物BIAS
    漏源电流
    (µA)
    V
    GS
    = V
    DS
    T
    A
    = 25°C
    15
    V
    BS
    = 0V
    10
    -2V
    -4V
    -6V
    -8V
    -10V
    5
    -12V
    V
    BS
    = 0V
    F = 1kHz时
    T
    A
    = +25°C
    I
    DS
    = 10毫安
    0
    0
    0.8
    1.6
    2.4
    3.2
    4.0
    漏源极电压（ V）
    门源极电压（ V）
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    与门源电压
    漏源导通电阻
    (KΩ)
    100
    断漏电流与
    环境温度
    OFF漏源电流
    （ PA ）
    1000
    V
    DS
    = +12V
    V
    GS
    = V
    BS
    = 0V
    100
    V
    DS
    = 0.2V
    V
    BS
    = 0V
    10
    T
    A
    = +125°C
    1
    10
    0.1
    0
    T
    A
    = +25°C
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    1
    -50
    -25
    0
    +25
    +50
    +75
    +100 +125
    门源极电压（ V）
    环境温度（ ℃）
    ALD1105
    先进的线性器件
    4 9

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