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ALD1103DB 参数 Datasheet PDF下载

ALD1103DB图片预览
型号: ALD1103DB
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内容描述: 双N沟道和双P沟道MOSFET MATCHED PAIR [DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR]
分类和应用: 晶体晶体管开关输入元件
文件页数/大小: 9 页 / 101 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
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典型的N沟道性能特点
输出特性
8
漏极 - 源极电流
(MA )
低电压输出
特征
漏 - 源电流
(MA )
V
BS
= 0V
T
A
= 25°C
4
V
GS
= 12V
6V
4V
2V
0
160
V
BS
= 0V
T
A
= 25°C
V
GS
= 12V
10V
8V
120
80
6V
4V
2V
40
-4
0
0
2
4
6
8
10
12
漏源极电压( V)
-8
-160
-80
0
80
160
漏极 - 源极电压(毫伏)
正向跨导
( μmho )
1 x10
5
5 x10
4
2 x10
4
正向跨导
与漏源电压
20
传输特性
与底物BIAS
漏 - 源电流
(µA)
V
GS
= V
DS
T
A
= 25°C
15
V
BS
= 0V
10
-2V
-4V
-6V
-8V
-10V
5
-12V
V
BS
= 0V
F = 1kHz时
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
I
DS
= 10毫安
1 x10
4
5 x10
3
2 x10
3
1 x10
3
0
2
4
I
DS
= 1毫安
6
8
10
12
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
漏极 - 源极电压( V)
门 - 源极电压( V)
R
DS ( ON)
主场迎战的栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
(Ω)
关 - 漏源电流
(A)
10000
V
DS
= 0.2V
V
BS
= 0V
1000
T
A
= +125°C
100
10
X
10
-6
关漏极 - 电流与
温度
V
DS
= +12V
V
GS
= V
BS
= 0V
10
X
10
-9
10
0
T
A
= +25°C
2
4
6
8
10
12
10
X
10
-12
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100 +125
门源极电压( V)
温度(℃)
ALD1103
先进的线性器件
4 9