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ALD1102APAL 参数 Datasheet PDF下载

ALD1102APAL图片预览
型号: ALD1102APAL
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双P沟道MOSFET MATCHED PAIR [DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 62 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
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绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压,V
GS
功耗
工作温度范围
-10.6V
-10.6V
500mW
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
SAL , PALpackages
DA包
存储温度范围
焊接温度10秒
小心: ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
参数
栅极阈值
电压
失调电压
V
GS1
- V
GS2
符号
V
T
V
OS
-1.3
-0.4
1102A
典型值
-0.7
最大
-1.2
2
-1.3
-0.4
1102B
TYP MAX
-0.7
-1.2
5
-1.3
-0.4
1102
典型值
-0.7
最大
-1.2
10
单位
V
mV
毫伏/°C的
TEST
条件
I
DS
= -10μA V
GS
= V
DS
I
DS
= -100μA V
GS
= V
DS
栅极阈值
TC
VT
温度漂移
在漏极电流
I
DS ( ON)
-8
2
-16
4
0.5
500
180
270
-8
2
-16
4
0.5
500
180
270
-8
2
-16
4
0.5
500
180
270
mA
mmho
%
μmho
V
GS
= V
DS
= -5V
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
跨克
fs
不匹配
产量
漏源
抗性
漏源
抗性
不匹配
漏源
击穿
电压
断漏电流
∆G
fs
G
OS
R
DS ( ON)
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
∆R
DS ( ON)
0.5
0.5
0.5
%
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
BV
DSS
I
DS (关闭)
I
GSS
C
国际空间站
-12
-12
-12
V
I
DS
= -10μA V
GS
=0V
V
DS
=-12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
=0V V
GS
=-12V
T
A
= 125°C
0.1
4
4
50
10
10
0.1
4
4
50
10
10
0.1
4
4
50
10
10
nA
µA
pA
nA
pF
栅极泄漏
当前
输入
电容
1
1
1
6
6
6
ALD1102A/ALD1102B/ALD1102
先进的线性器件
2 6