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ALD1101B 参数 Datasheet PDF下载

ALD1101B图片预览
型号: ALD1101B
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内容描述: 双N信道匹配组MOSFET [DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 60 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
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绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压,V
GS
功耗
工作温度范围
10.6V
10.6V
500mW
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
SAL , PALpackages
DA包
存储温度范围
焊接温度10秒
小心: ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
参数
栅极阈值
电压
失调电压
V
GS1
- V
GS2
符号
V
T
V
OS
-1.2
ALD 1101A
最小值典型值
最大
0.4
0.7
1.0
2
-1.2
ALD1101B
最小典型最大
0.4
0.7
1.0
5
-1.2
ALD1101
最小典型最大
0.4
0.7
1.0
10
单位
V
mV
毫伏/°C的
TEST
条件
I
DS
= 10μA V
GS
= V
DS
I
DS
= 100μA V
GS
= V
DS
栅极阈值
TC
VT
温度漂移
在漏极电流
I
DS ( ON)
25
5
40
10
0.5
200
50
75
25
5
40
10
0.5
200
50
75
25
5
40
10
0.5
200
50
75
mA
mmho
%
μmho
V
GS
= V
DS
= 5V
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
跨克
fs
不匹配
产量
漏源
抗性
漏源
抗性
不匹配
漏源
击穿
电压
断漏电流
∆G
fs
G
OS
R
DS ( ON)
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
∆R
DS ( ON)
0.5
0.5
0.5
%
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
BV
DSS
I
DS (关闭)
I
GSS
C
国际空间站
12
12
12
V
I
DS
= 10μA V
GS
=0V
V
DS
=12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
=0V V
GS
=12V
T
A
= 125°C
0.1
4
4
50
10
10
0.1
4
4
50
10
10
0.1
4
4
50
10
10
nA
µA
pA
nA
pF
栅极泄漏
当前
输入
电容
1
1
1
6
6
6
ALD1101A/ALD1101B/ALD1101
先进的线性器件
2 6