绝缘和安全相关规范
参数
分钟。外部气隙
(外部间隙)
分钟。外部跟踪路径
(外部爬电距离)
分钟。国内塑料峡
(游隙)
符号
L(IO1)
L(IO2)
值单位
7.0
8.5
0.5
mm
mm
mm
条件
输入端至输出端测得
端,空气最短距离
输入端至输出端测得
沿车身终端,最短距离路径
穿通绝缘距离,导线
导体,通常是直接距离
在光发射器和光电探测器之间
光电耦合器腔体内
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
材料集团( DIN VDE 0110 , 1/89 ,表1)
防跟踪
(相比漏电起痕指数)
隔离组
CTI
200
IIIa受体
V
选件300 - 表面贴装分类为A类符合CECC 00802 。
绝对最大额定值
存储温度................................................ ... -55 ° C至+ 125°C
工作温度 - T的
A
.......................................... -40 ° C至+ 85° ç
外壳温度 - T的
C
.......................................................... +105°C
[1]
平均输入电流 - 我
F
.................................................. .......... 20毫安
重复峰值输入电流 - 我
F
............................................... 40毫安
(脉冲宽度
≤
1毫秒;占空比
≤
50%)
瞬态峰值输入电流 - 我
F
............................................... 100毫安
(脉冲宽度
≤
200
µs;
占空比
≤
1%)
反向输入电压 - V
R
................................................................ 3 V
输入功率耗散............................................... ............... 40毫瓦
输出电压(T
A
= 25°C)
连接A - V
O
.................................................. ....... - 60〜 + 60V
连接B - V
O
.................................................. ........... 0至+60 V
平均输出电流 - 图3 (T
A
= 25 ° C,T
C
≤
70°C)
连接A - I
O
..................................................................... 0.75 A
连接B - I
O
..................................................................... 1.50 A
单次峰值输出电流
( 100毫秒脉冲宽度,T
A
= 25 ° C,I
F
= 10 mA)的
连接A - I
O
.................................................................... 3.75 A
连接B - I
O
...................................................................... 7.0 A
输出功率耗散............................................... ...... 750毫瓦
[2]
无铅焊锡温度.... 260℃ 10秒(1.6毫米以下座位平面)
红外线和汽相回流焊温度
(选项300 ) .........................................见图。 1 ,温度曲线
热阻
典型输出MOSFET的结
凯斯 -
θ
JC
= 55 ° C / W
ESD展示
性能
人体模型: MIL -STD-
883方法3015.7 - 16千伏
机器型号: EIAJ 1988年3月28日
版本2 ) ,测试方法20 ,
条件C - 1200 V
耐电涌
能力
IEEE标准472-1974
1-445