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    HSMS-282L-BLKG 参数 Datasheet PDF下载

    HSMS-282L-BLKG图片预览
    型号： HSMS-282L-BLKG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 表面贴装射频肖特基势垒二极管 [Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes]
    分类和应用： 微波混频二极管测试射频光电二极管
    文件页数/大小： 14 页 / 202 K
    品牌： AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
     浏览型号HSMS-282L-BLKG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HSMS-282L-BLKG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSMS-282L-BLKG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSMS-282L-BLKG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSMS-282L-BLKG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSMS-282L-BLKG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSMS-282L-BLKG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSMS-282L-BLKG的Datasheet PDF文件第9页  
    4
    典型性能，T
    C
    = 25
    °
    ℃（除非另有说明） ，单二极管
    100
    I
    F
    - 正向电流（mA ）
    C
    T
    - 电容（pF ）
    I
    R
    - 反向电流（ NA）
    10
    T
    A
    = +125°C
    T
    A
    = +75°C
    T
    A
    = +25°C
    T
    A
    = –25°C
    100,000
    1
    10,000
    0.8
    1000
    0.6
    1
    100
    0.4
    0.1
    10
    1
    0
    5
    0.01
    0
    0.10
    0.20
    0.30
    0.40
    0.50
    V
    F
    - 正向电压（ V）
    T
    A
    = +125°C
    T
    A
    = +75°C
    T
    A
    = +25°C
    10
    15
    0.2
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    R
    - 反向电压（ V）
    V
    R
    - 反向电压（ V）
    图1.正向电流与
    在正向电压的温度。
    图2.反向电流与
    反向电压的温度。
    图3.总电容与
    反向电压。
    ∆V
    F
    - 正向电压差（MV ）
    1000
    30
    30
    100
    1.0
    10
    I
    F
    （左轴）
    10
    100
    I
    F
    （左轴）
    10
    10
    1
    ∆V
    F
    （右轴）
    1
    ∆V
    F
    （右轴）
    1
    0.1
    1
    10
    100
    0.3
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    0.3
    1.4
    1
    0.10
    0.15
    0.20
    0.1
    0.25
    I
    F
    - 正向电流（mA ）
    V
    F
    - 正向电压（ V）
    V
    F
    - 正向电压（ V）
    图4.动态电阻与
    正向电流。
    图5.典型的V
    f
    全场比赛，双系列
    和四边形的混频器偏置电平。
    图6.典型的V
    f
    全场比赛，双系列
    在检测器偏置电平。
    1
    10
    10
    V
    O
    =输出电压（V）的
    V
    O
    =输出电压（V）的
    DC偏压= 3
    µA
    0.1
    -25°C
    +25°C
    +75°C
    0.1
    0.01
    +25°C
    转换损耗（dB ）
    1
    9
    8
    0.01
    RF在18 nH的HSMS- 282B武
    3.3 nH的
    100 pF的
    100 KΩ
    0
    0.001
    0.0001
    1E-005
    -20
    在RF
    68
    Ω
    HSMS-282B
    Vo
    100 pF的
    7
    4.7 KΩ
    20
    30
    6
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    本振功率（dBm ）
    0.001
    -40
    -30
    -20
    -10
    -10
    0
    10
    P
    in
    - 输入功率（dBm ）
    P
    in
    - 输入功率（dBm ）
    图7.典型输出电压 -
    输入功率，小信号探测器
    工作在850兆赫。
    图8.典型输出电压 -
    输入功率，大信号探测器
    工作频率为915MHz 。
    图9.典型变频损耗与
    L.O.驱动器， 2.0千兆赫（参考AN997 ） 。
    ∆V
    F
    - 正向电压差（MV ）
    R
    D
    - 动态电阻（ Ω ）
    I
    F
    - 正向电流（mA ）
    I
    F
    - 正向电流（ μA ）

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