HMPP-389T-TR1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HMPP-389T-TR1
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内容描述：	MINIPAK表面贴装射频PIN二极管开关 [MiniPak Surface Mount RF PIN Switch Diodes]
分类和应用：	二极管开关射频
文件页数/大小：	11 页 / 160 K
品牌：	AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]

射频共

RF 1

RF 2

BIAS

图8.非常高隔离度SPDT开关，双偏置。

应用信息

PIN二极管

在射频和微波网络，

机械式开关和衰减

器体积庞大，往往不可靠，

和难于制造。

开关IC ，同时方便

使用且成本低的小

量，贫困患

失真性能并

没有符合成本效益的PIN二极管

开关和衰减器中非常

大批量。在过去的30年里，

设计师们都把PIN码

二极管，用于高性能/低

成本的解决方案，它们的开关

和电平控制的需要。

在射频和微波范围内，

交换机提供了简单

目的是通过暗示其

名称;它的运作之一之间

两种模式下， ON或OFF。在接通

状态，开关被设计为

有尽可能少的损失。在

关断状态时，开关必须具有

非常高的损失（隔离）的

输入信号时，通常是从20到

60分贝。衰减器，但是，

提供更复杂的功能。

它提供了用于“软”或

在功率控制的变化

一个射频或微波信号的电平。

于，因为它衰减了相同的时间

输入信号到一些predeter-

开采价值，还必须出示

匹配输入阻抗（低

电压驻波比）的源。一切

它采用微波网络

PIN二极管（移相器，调制

器等）上的一个变型

这两个基本的电路。

人们可以看到，开关和

衰减器有很大的不同

在它们的功能，并且将there-

前往往需要不同的

特征在他们的PIN二极管。

这些性质是容易

通过该方式来控制

该PIN二极管被制成。

见图9 。

n +扩散

金属接触

体积

Ⅰ-层

二极管建设

安捷伦科技公司，两个基本

二极管的制造方法是

使用。在散装的二极管的情况下，一

很纯晶圆（内在）

硅重掺杂的顶部

面和底面，以形成磷和氮

地区。其结果是一个具有二极管

很厚，很纯粹的I区。

外延层（或EPI）二极管

开始为重掺杂的晶片

硅（在P或N层），到

其中一个薄的余层生长。

在外延生长后， diffu-

锡永用于添加一个重掺杂

（ N或P）的上外延的顶层，

创建一个二极管具有非常薄的我

填充层用比较

大量缺陷。

这两种不同的方法

设计结果两班

二极管具有明显不同

特性，如图

表1中。

正如我们将在下面看到

段中，散装二极管是

几乎总是使用衰减器

应用程序有时为

开关，而外延二极管（如

作为HMPP - 3890 ）一般是

用作开关元件。

二极管寿命及其启示

PIN二极管的电阻是

由导电性的控制（或

电阻率的I层）。这

电导率是由控制

载流子的云的密度

（电荷）的I层中（它是在

转，通过DC偏压控制）。

少数载流子寿命，表明

希腊符号

τ,

是

散装二极管衰减器

联系过

P +扩散

;

N +衬底

P +扩散

EPI

Ⅰ-层

外延开关二极管

图9. PIN二极管的建设。

表1.散装和EPI二极管特性。

特征

一生

失真

电流要求

我区厚度

EPI二极管

短

高

低

很瘦

散装二极管

长

低

高

厚

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