注意事项：
1. LED熄灭的V时，
I
高，对当V
I
是低的。
2.设备认为是一个双端器件;管脚1-4短接在一起，并且管脚5-8短接在一起。
3.根据UL 1577 ，用于最小V设备
ISO
在3750 V rms的规定，每个光耦验证测试通过应用
绝缘测试电压大于4500 V rms的一秒钟（漏电流检测限值I
我-O
＆ LT ;五
µA).
这个试验进行
方法B之前， 100 ％生产测试的局部放电在VDE 0884绝缘特性表所示。
4. C
I
时测得的电容，在销2 （Ⅴ
I
).
5. t
PHL
传播延迟是从50％的水平的测定在V的下降沿
I
信号与V的逻辑电平切换
O
信号。
t
PLH
传播延迟是从50％的水平的测定在V的上升沿
I
信号与V的逻辑电平切换
O
信号。
6.逻辑电平转换为1.5 V的TTL信号（ 0-3 V）和2.5 V的CMOS信号（ 0-5 V） 。
7. PWD定义为|吨
PHL
- t
PLH
| 。 ％ PWD （百分之脉宽失真）等于PWD在纳秒由符号持续时间划分（位长）
在纳秒。
8.最小数据速率的计算如下：％ PWD / PWD其中％ PWD通常是由设计工程师选择（30％是常见的） 。
9. t
PSK
等于在吨最坏的情况下二FF erence
PHL
和/或叔
PLH
将单元之间在相同的温度中可以看出，电源电压，
和推荐的操作条件范围内输出负载。
10. CM
H
是，可以持续维持V中的最大共模电压压摆率
O
> 3.2 V. CM
L
为最大
可以持续，同时保持V共模电压摆率
O
< 0.8 V共模电压压摆率适用于
上升和下降的共模电压的边缘。
11.卸载动态功耗的计算公式如下：C
PD
• V
DD2
• F +我
DD
• V
DD
其中f是开关频率在兆赫。
图1.推荐的应用电路。
图2.推荐印刷电路板布局。
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