5
绝对最大额定值
存储温度范围，T
S
.................................. -65 ° C至+ 150°C
工作温度，T
A
......................................... -55 ° C至+ 125°C
外壳温度，T
C
................................................................ +170°C
结温，T
J
.......................................................... +175°C
无铅焊锡温度.............................................. 260 °下10秒
平均正向Curre ，我
˚F AVG
（每个通道） ............................. 8毫安
峰值输入电流，I
˚F PK
（每个通道） ............................... 20毫安
[1]
反向输入电压，V
R
（每个通道） ....................................... 3 V
电源电压，V
CC
.............................................. 0.0 V分钟。 ， 20 V最大。
平均输出电流，我
O
（每个通道） ................................. 15毫安
输出电压V
O
（每个通道） .................... 0.3 V分钟， 20 V最大。
封装功耗，P
d
（每个通道） ......................... 200毫瓦
单通道产品只
三态使能电压，V
E
............................... 0.3 V分钟， 20 V最大。
8引脚陶瓷DIP封装的单通道示意图
阳极
阴极
注意使能引脚6.外部0.01
µF
0.1
µF
旁路电容建议
V之间
CC
和地面每个封装类型。
ESD分类
（ MIL -STD -883方法3015 ）
HCPL -5200 / 01 / 0K ， HCPL -6230 /31 / 3K ................................ （ Δ ） 1级
HCPL -三十一分之五千二百三/ 3K ， HCPL-五十一分之六千二百五十零/ 5K ............................ （点） ， 3级
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电流，高级别，
每个通道
输入电压，低的水平，
每个通道
扇出（ TTL负载）
每个通道
符号
V
CC
I
FH
V
FL
N
分钟。
4.5
2
0
马克斯。
20
8
0.8
4
单位
V
mA
V
单通道产品只
高级别启用电压
V
EH
低电平使能电压
V
EL
2.0
0
20
0.8
V
V
AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
