安捷伦HCPL - 3180 2安培输出
目前，高速IGBT / MOSFET门
驱动光电耦合器
数据表
特点
•
2最小峰值输出电流
•
250kHz的最大开关
速度
•
高速响应： 200 ns（最大值）
传播延迟了
温度范围
•
10 KV /美最低共模
抑制（CMR）在V
CM
=1500 V
•
欠压锁定保护
（ UVLO ）与迟滞
•
宽工作温度
范围： -40°C至+100
°
C
•
宽V
CC
经营范围：
10到20V
•
20 ns的典型脉冲宽度失真
•
安全认证：
UL认证待定
3750 V
RMS
1分钟。
CSA认证
DIN EN 60747-5-2认证
PENDING
应用
•
等离子体显示面板（PDP ）
•
分布式电源架构
（ DPA ）
•
开关模式整流器（ SMR ）
•
高性能的DC / DC
转换器
•
高性能开关模式
电源供应器（ SMPS ）
•
高性能不间断
电源（ UPS ）
•
隔离式IGBT /功率MOSFET
栅极驱动器
描述
该系列器件包括
由GaAsP LED 。 LED是
光学耦合到一个
与功率集成电路
阶段。这些光电耦合器
理想地适用于高频
驱动功率IGBT和
在血浆中MOSFET
展板，高
高性能DC / DC转换器
和电机控制逆变器
应用程序。
订购信息
指定型号后面
选项号（如果需要） ：
例如： HCPL - 3180 -XXX
N / C
阳极
阴极
N / C
1
2
3
4
8
7
6
V
CC
V
O
V
O
5 V
EE
工作原理图
没有选项=标准DIP
包， 50元管。
300 =鸥翼型表面贴装
选项， 50％的管道。
500 =卷带式包装
选项。
060 = DIN EN 60747-5-2选项，
VIORM = 630 V峰值（待定
批准）
一个0.1μF的旁路电容必须连接引脚5和8之间。
注意：建议在正常静止的预防措施，在处理这个组件和组装，以防止损坏和/
或降解其可通过静电诱导。
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