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封装特性
对于每个信道，除非另有规定。
参数
输入输出瞬间
耐压
输出输出瞬间
耐压
输入，输出电阻
输入输出电容
符号
V
ISO
V
O-O
R
我-O
C
我-O
分钟。
3750
1500
10
12
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
RMS
V
RMS
Ω
pF
TEST
条件
T
A
=25°C,
对于RH<50 ％
1分钟。
V
我-O
=500 V
频率为1 MHz的
图。
记
8,9
16
9
注意事项：
1.减额线性70℃以上自由空气温度/速度以0.3mA ℃。
2.最大脉冲宽度= 10
µs,
最大占空比= 0.2 ％ 。该值的目的是允许组件公差设计
与我
O
峰值最低为0.4 A.参见应用上限制我的其他细节部分
OL
高峰期。
3.线性降额超过85° C，自由的空气温度为4.0毫瓦/°C的速度。
4.输入功耗不需要降额。
5.最大脉冲宽度= 50
µs,
最大占空比= 0.5％。
6.在该试验中，V
OH
度用的直流负载电流。当驱动容性负载V
OH
将接近V
CC
我
OH
趋近于零
安培。
7.最大脉冲宽度为1毫秒，最大占空比= 20 ％ 。
8.根据UL 1577 ，每个HCPL- 314J光电耦合器，这证明通过采用绝缘测试电压测试
≥
5000 V
RMS
为
1秒（泄漏检测电流限制我
我-O
≤
5
µA).
这个测试之前， 100 ％生产测试的局部放电进行
（方法B）在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2绝缘特性表中所示，如果适用。
9.设备认为是一个双端器件：在输入侧的引脚短接在一起，并且在输出侧的引脚短接在一起。
10. PDD为t之间的差
PHL
和T
PLH
在相同测试条件下的任何两个部件或通道之间。
11.引脚3和4（ HCPL- 314J ）需要连接到LED通用。
在高状态12.共模瞬态抗扰度是最大容许| dVcm / DT |共模脉冲V的
CM
to
保证该输出将保持在高状态（也就是武> 6.0 V） 。
在低状态13.共模瞬态抗扰度是最大容许|的dV
CM
共模脉冲，将V | / dt的
CM
，以保证
该输出将保持在低状态（也就是武< 1.0 V） 。
14.这种负载条件接近1200 V / 25 A IGBT的栅极负载。
15.对于每个通道。操作的驱动IGBT的增加次数的Qg时的电源电流增大。
16.设备视为两个终端设备：通道1的输出端引脚短接在一起，和渠道两个输出端引脚短路
在一起。
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