0.4安培输出电流
IGBT门驱动光电耦合器
技术参数
HCPL-314J
特点
•
0.4最小峰值
输出电流
•
高速响应：
0.7
µ
s最大。传播
延缓温度过高。范围
•
超高CMR ：最小。
10千伏/
µ
在νs的
CM
= 1.5千伏
•
Bootstrappable供应
电流：最大。 3毫安
•
宽工作温度。
范围： -40
°
℃至100
°
C
•
WIDE
V
CC
经营范围：
10 V至30 V温度过高。
范围
•
可提供DIP8 （单人间）
和SO16 （双路）封装
•
安全认证： UL
认可， 3750 V
RMS
为
1分钟。 CSA认证。
IEC / EN / DIN EN 60747-5-2
审批VIORM = 891 V
PEAK
工作原理图
描述
本HCPL- 314J系列器件
组成的AlGaAs LED的
光学耦合到一个集成
电路具有功率输出级。
这些光电耦合器非常理想
适用于驱动功率IGBT
和用于马达的MOSFET
控制逆变器应用。该
的高工作电压范围
输出级提供的
所需的栅极驱动电压
控制的设备。电压
并通过该电流供给
光耦特性，非常
适用于直接驱动小
或中等功率IGBT 。为
的IGBT具有较高的收视率
HCPL- 3150 （ 0.5A ）或HCPL- 3120
（ 2.0A ）的光电耦合器都可以使用。
N / C
阳极
阴极
1
2
3
盾
16 V
CC
15 V
O
14 V
EE
阳极
阴极
N / C
6
7
8
盾
11 V
CC
10 V
O
9
V
EE
HCPL-314J
真值表
LED
关闭
ON
V
O
低
高
应用
•
隔离式IGBT /功率
MOSFET栅极驱动器
•
交流和无刷直流电机
驱动器
•
逆变器设备
•
工业逆变器
•
开关模式电源
电源（SMPS ）
•
不间断电源
电源（UPS ）
A 0.1
µF
旁路电容必须连接引脚V之间
CC
和V
EE
.
注意：建议在正常静止的预防措施，在处理这个组件和组装，以防止
破坏和/或降解可通过静电诱导。
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