ESW - ENERGY每个开关周期 - μJ
选择栅极电阻（ RG ）
步骤1：
计算R
g
最小的余
OL
高峰规范。在IGBT
和R图19可以作为一个简单的RC电路与被分析
电压的HCPL- 3140 / HCPL- 0314供给。
Rg
≥
=
V
CC
– V
OL
I
OLPEAK
24
V
– 5
V
0.6A
4.0
QG = 50 NC
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
QG = 100 NC
QG = 200 NC
QG = 400 NC
= 32
Ω
在V
OL
5伏先前方程中的值是V
OL
在峰值
电流0.6A的。 （参见图6）。
步骤2：
检查HCPL- 3140 / HCPL- 0314的功耗和
如果有必要加大RG 。本HCPL - 3140 / HCPL- 0314总功率
功耗（P
T
）等于发射功率的总和（P
E
）及
输出功率（P
O
).
P
T
= P
E
+ P
O
P
E
= I
F
•
V
F
•
占空比
P
O
= P
O（ BIAS ）
+ P
O（切换）
= I
CC
•
V
CC
+ E
SW
（ RG ，的Qg ）
•
f
= (I
CCBIAS
+
K
ICC
•
Qg
•
f)
•
V
CC
+
E
SW
（ RG ，的Qg ）
•
f
哪里
K
ICC
•
Qg
•
f
就是增加了我
CC
由于开关和K
ICC
是
不断0.001毫安/ （ NC *千赫） 。该电路在图19中与我
F
（最坏情况） = 10毫安， RG = 32
Ω,
最大占空比= 80％ ，
QG = 100 NC ， F = 20千赫和T
AMAX
= 85°C:
P
E
= 10
mA
•
1.8
V
•
0.8 = 14
mW
P
O
= (3
mA
+ (0.001
毫安/ （ NC
•
千赫） ）
•
20
千赫
•
100
NC ）
•
24
V
+
0.4
µ
J
•
20
千赫
= 80
mW
< 260
mW
(P
O（最大值）
@ 85°C)
3毫安对我的价值
CC
前面的公式中是最大。我
CC
过度
整个工作温度范围内。
由于P
O
对于这种情况下小于P
O（最大值）
， RG = 32
Ω
不要紧的
功耗。
RG - 栅极电阻 -
Ω
图20能量耗散在
HCPL- 0314 ，并为每个IGBT开关
周期。
L
ED驱动电路的注意事项
超高CMR性能
如果没有检测盾，
光耦的主导原因
CMR故障是电容
从输入侧连接
光电耦合器，通过
包，对所述检测器集成电路
如示于图21。
HCPL - 3140 / HCPL- 0314提高
CMR性能通过使用
检测器IC与光学
透明法拉第屏蔽，这
转接该电容耦合
电流远离敏感
IC电路。然而，该屏蔽
不会消除电容
在LED和之间的耦合
光电耦合器的引脚5-8中所示
图22.该电容
耦合引起的扰动
在普通的LED电流
模式瞬变，并成为
对CMR故障的主要来源
屏蔽光电耦合器。主
高CMR的设计目标
LED驱动电路变得
保持该LED在适当的
状态（开或关）中常见的
模瞬变。例如，
推荐应用
电路（图19） ，可以实现
10 KV / μs的CMR ，同时尽量减少
组件的复杂性。
技术，以保持LED在
正确的状态都在讨论
接下来的两节。
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