H
功率MOSFET / IGBT栅极
驱动光电耦合器
技术参数
HCPL-3100
HCPL-3101
特点
•高输出电流
I
O1
我
O2
(0.4 A
PEAK
, 0.1 A
连续）
• 1.5千伏/
µ
s最小常见
在模抑制（CMR ）
V
CM
= 600 V
•宽工作V
CC
范围
（15到30伏）
•高速
1
µs
典型传播延迟
(HCPL-3100)
0.3
µs
典型传播
延迟（ HCPL- 3101 ）
• UL 1577下认可
对于耐压
5000验证试验电压
VAC， 1分钟
描述
本HCPL - 3101分之3100由
一个LED *光学耦合到一个
与功率集成电路
输出级。这些光电耦合器
适合于驱动功率
在使用MOSFET和IGBT
电机控制变频应用
系统蒸发散。在高工作电压
输出级的范围内提供
所要求的电压驱动器
门控设备。该
电压和电流供给
这些光电耦合器允许
直接连接到电源
设备，而无需一
中间放大级。
本HCPL -3100交换机3000
pF负载2
µs
和HCPL-
3101 ，使用更高速度的LED，
切换一个3000 pF负载在0.5
µs.
用5千伏/ μs的CMR的评级
这些典型的光电耦合器容易
拒绝在逆变器中的瞬态
应用程序。
在LED控制的状态
输出级。在晶体管Q2
输出级是在与LED
断，使得电源的栅极
设备保持低电平。打开
LED熄灭晶体管Q2
在晶体管Q1的开关
输出级，它提供
电流和电压，以驱动
该功率器件的栅极。
HCPL-3101
工作原理图
应用
•隔离式MOSFET / IGBT栅极
DRIVE
•AC和DC马达驱动器
•通用工业
逆变器
•不间断电源
供应
阳极
1
HCPL-3100
8
V
CC
1
8
V
CC
阴极
2
Q2
7
GND
阳极
2
Q2
7
GND
3
Q1
6
V
O2
阴极
3
Q1
6
V
O2
4
5
V
O1
4
5
V
O1
真值表
LED
产量
ON
高层
关闭
低层
Q1
ON
关闭
Q2
关闭
ON
的0.1的使用
µF
旁路电容连接引脚8和7之间
值得推荐。 ALSO限流电阻建议
（见图1 ，注2和注7 ） 。
* HCPL- 3100的LED包含硅掺杂的GaAs和HCPL- 3101的LED包含AlGaAs构成。
注意：建议在正常静止的预防措施，在处理这个组件和组装
防止损坏和/或降解可通过静电诱导。
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