6
绝对最大额定值
（无需降额高达+ 125°C ）
存储温度范围，T
S
................................... -65 ° C至+ 150°C
工作温度，T
A
.......................................... -55 ° C至+ 125 ° ç
外壳温度，T
C
................................................................ +170°C
结温，T
J
........................................................... +175°C
无铅焊锡温度............................................... 260 ℃下进行10秒
峰值正向输入电流，I
˚F PK
（每个通道
≤
1毫秒的时间） .............................................. ........................ 40毫安
平均输入正向电流，我
˚F AVG
（每个通道） ................ 20毫安
输入功率耗散（每个通道） ..................................... 35毫瓦
反向输入电压，V
R
（每个通道） ......................................... 5 V
电源电压，V
CC
（1分钟最大值） ........................................ 7 V
输出电流，I
O
（每个通道） .............................................. 。 25毫安
输出功率耗散（每个通道） ................................. 40毫瓦
输出电压V
O
（每个通道） .............................................. .... 7 V *
封装功耗，P
D
（每个通道） ........................ 200毫瓦
*选择更高的输出电压高达20 V可用。
单通道产品只
发射器输入电压，V
E
............................................................... 5.5 V
8引脚陶瓷DIP封装的单通道示意图
注意使能引脚7.外部
0.01
µF
0.1
µF
绕行
电容器必须连接
V之间
CC
与地面的每个
封装类型。
ESD分类
（ MIL -STD -883方法3015 ）
HCPL - 5600 / 01 / 0K ........................................... .................. （ Δ ） ， 1级
6N134 ， 6N134 / 883B ， HCPL -5630 /31 / 3K ， HCPL-五十一分之五千六百五，
HCPL -三十一分之六千六百三十○ / 3K和HCPL -6650 /51 / 5K ....................... （点） ， 3级
推荐工作条件
参数
输入电流，低的水平，每个通道
输入电流，高级别，每个信道*
电源电压，输出
扇出（ TTL负载），每个通道
*达到或超过DSCC SMD和JEDEC的要求。
符号
I
FL
I
FH
V
CC
N
分钟。
0
10
4.5
马克斯。
250
20
5.5
6
单位
µA
mA
V
AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
