电气规格
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 100 ° C）和4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C，V
DD
= +5 V.
参数
输入正向电压
输入反向
击穿电压
逻辑高电平输出。
电压
逻辑低输出
电压
输入阈值电流
逻辑低输出
电源电流
逻辑高电平输出。
电源电流
符号
V
F
BV
R
V
OH
V
OL
I
TH
I
DDL
I
DDH
分钟。
1.3
5
4.0
4.8
0.01
0.1
8.2
14.0
11.0
典型值。
1.5
马克斯。
1.8
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
测试条件
I
F
= 12毫安
I
R
= 10
µA
I
F
= 0, I
O
= –20
µA
I
F
= 12 mA时，我
O
= 20
µA
I
OL
= 20
µA
I
F
= 12毫安
I
F
= 0
2
4
3
图。
1
笔记
6.0
4.5
交换特定网络阳离子
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 100 ° C）和4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C，V
DD
= +5 V.
参数
传播延迟时间
为逻辑低电平输出
传播延迟时间
为逻辑高电平输出。
脉冲宽度
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间
(10 - 90%)
输出下降时间
(90 - 10%)
共模
瞬态抗扰度在
逻辑高电平输出。
共模
瞬态抗扰度在
逻辑低输出
符号
t
PHL
t
PLH
PW
| PWD |
t
PSK
t
R
t
F
|厘米
H
|
10
20
25
15
分钟。
20
13
100
0
典型值。
35
21
马克斯。
60
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
测试条件
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25°C,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25°C,
I
F
= 12毫安
图。
5
5
笔记
1
1
14
30
40
2
3
2
3
4
4
|厘米
L
|
10
15
KV / μs的
5
5
5
AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
