ATF- 551M4典型性能曲线，
持续
20
0.6
0.5
0.4
增益（dB ）
18
FMIN （ dB）的
0.3
0.2
16
2V
2.7V
3V
36
19
32
OIP3 （ dBm的）
2V
2.7V
3V
28
17
24
0.1
0
20
2V
2.7V
3V
15
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
16
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
I
ds
（MA ）
图11.增益与我
ds
和V
ds
在2 GHz
[1]
.
图12. FMIN与我
ds
和V
ds
在2 GHz
[2]
.
图13. OIP3与我
ds
和V
ds
在2 GHz
[1]
.
18
16
14
17
16
15
IIP3 （ dBm的）
12
的P1dB （分贝）
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
2V
2.7V
3V
14
13
12
11
10
2V
2.7V
3V
30
35
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
I
dq
（MA ）
图14. IIP3与我
ds
和V
ds
在2 GHz
[1]
.
图15的P1dB与我
dq
和V
ds
在2 GHz
[1]
.
注意事项：
1.测量在2 GHz的偏压2.7V ， 10毫安是在一个固定的调整生产测试板被调整为最佳的OIP3比赛与制作
合理的噪声系数。该电路代表之间的最佳噪声匹配，最大OIP3匹配以及基于变现匹配的权衡
生产测试板的要求。测量结果比2.7V采取其他以及10 mA偏置是使用双短线调谐器的输入端调整为做
低噪声和双短线调谐器在调谐为最大的OIP3的输出。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2.值Fmin值是基于一组16在使用的ATN NP5测试系统16不同的阻抗制成的噪声系数的测量。从这些
FMIN测量计算。请参考噪声参数测量部分以获取更多信息。
3. P1dB的测量与被动偏置进行。静态漏电流， Idsq ，置零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近，在
漏电流可能增加或点。在Idsq的值越低，该设备附近运行到B类功率输出接近的P1dB 。这导致
更高的P1dB和更高的PAE （功率附加效率）时相比，通过一个恒定电流源来驱动，典型的做法是用一个装置
有源偏置。作为一个例子，在一个VDS = 2.7V和Idsq = 5毫安，标识加〜15mA时为14.5 dBm的P1dB的逼近。
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