ATF- 54143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX中。
I
GS
T
CH
T
英镑
θ
jc
120
0.7V
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[3]
RF输入功率
门源电流
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
mA
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5
-5 〜1
5
120
360
10
[5]
2
[5]
150
-65到150
162
注意事项：
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额
6毫瓦/ ° Ç对于T
L
> 92 ℃。
使用测量4.热阻
150℃的液晶测量方法。
5.该设备可以处理10 dBm的RF输入
电源提供了我
GS
被限制为2毫安。我
GS
at
P
1dB
驱动电平偏置电路有关。看
应用程序部分获取更多信息。
100
0.6V
80
I
DS
（MA ）
60
0.5V
40
20
0
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
6
7
0.4V
0.3V
图1：典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V）的
产品的一致性分布图表
[6, 7]
160
CPK = 0.77
标准偏差= 1.41
200
CPK = 1.35
标准偏差= 0.4
160
160
CPK = 1.67
标准偏差= 0.073
120
120
120
80
标准-3
标准-3
80
3性病
80
3性病
40
40
40
0
30
32
34
36
OIP3 （ dBm的）
38
40
42
0
14
15
16
17
增益（dB ）
18
19
0
0.25
0.45
0.65
NF（ dB）的
0.85
1.05
图2. OIP3 @ 2千兆赫， 3 V，50 mA的电流。
LSL = 33.0 ，标称= 36.575
图3.增益@ 2千兆赫， 3 V，50 mA的电流。
USL = 18.5 ， LSL = 15，额定= 16.6
图4. NF @ 2千兆赫， 3 V，50 mA的电流。
USL = 0.9 ，额定= 0.49
注意事项：
6.分布数据样本大小是由9个不同的晶片取450样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
7.测量就生产测试板。该电路表示根据一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
生产测试设备。 Circut损失已取消embeaded从实际测量。
2
AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
