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    ATF-54143-TR1 参数 Datasheet PDF下载

    ATF-54143-TR1图片预览
    型号： ATF-54143-TR1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低噪声增强模式伪HEMT的表面贴装塑料封装 [Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 16 页 / 155 K
    品牌： AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
     浏览型号ATF-54143-TR1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ATF-54143-TR1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ATF-54143-TR1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号ATF-54143-TR1的Datasheet PDF文件第10页浏览型号ATF-54143-TR1的Datasheet PDF文件第12页浏览型号ATF-54143-TR1的Datasheet PDF文件第13页浏览型号ATF-54143-TR1的Datasheet PDF文件第14页浏览型号ATF-54143-TR1的Datasheet PDF文件第15页  
    电阻器R1和R2的值
    计算用下面的
    公式
    R1 =
    V
    gs
    I
    BB
    p
    输入
    Zo
    C1
    Q1
    L1
    L2
    L3
    C5
    R4
    C3
    R6
    C7
    Q2
    R7
    R1
    R2
    C6
    C4
    Zo
    产量
    和重新排列等式（5）
    提供了以下式
    R1 =
    I
    BB
    V
    DD
    V – V
    B
    1 +
    DD
    V
    B
    (5A)
    L4
    C2
    9
    (2)
    R5
    (
    )
    p
    R2 =
    (V
    ds
    – V
    gs
    ) R1
    V
    gs
    p
    (3)
    VDD
    R3
    例如电路
    V
    DD
    = 5V
    V
    ds
    = 3V
    I
    ds
    = 60毫安
    R4 = 10Ω
    V
    BE
    = 0.7 V
    公式（1）计算出
    在发射器所需的电压
    PNP晶体管根据
    期望中的V
    ds
    我
    ds
    通过
    电阻R4为3.6V 。方程
    （2 ）计算电阻的值
    器R3的，它确定了
    漏电流I
    ds
    。在该示例
    R3 = 23.3Ω 。等式（3） calcu-
    鲈所需的电压
    电阻R1和R2的连接点。
    这个电压加上升压的
    基极发射极结阻止 -
    矿山监管的V
    ds
    。方程
    行动（ 4）和（5）都解决了
    同时，以确定
    电阻R1和R2的值。在
    这个例子R1 = 1450Ω和
    R2 = 1050Ω 。 R 7被选择为
    为1kΩ 。该电阻保持小
    流动的电流的量
    通过Q2以帮助维持偏
    稳定。 R 6被选择为
    为10kΩ 。电阻的该值是
    必要限制Q1栅极
    电流中的高的存在
    RF驱动电平（特别是当
    Q1被驱动至P
    1dB
    增益的COM
    PRESSION点）。
    例如电路
    V
    DD
    = 5 V
    V
    ds
    = 3V
    I
    ds
    = 60毫安
    V
    gs
    = 0.59V
    选择我
    BB
    为至少10倍的
    正常预期栅极泄漏
    电流。我
    BB
    被选择为
    2毫安的这个例子。运用
    等式（1） ，（2）和（3 ）的
    电阻的计算方法
    如下
    R1 = 295Ω
    R2 = 1205Ω
    R3 = 32.3Ω
    有源偏置
    有源偏置提供了一种手段
    保持静态偏置
    点恒定温度
    和恒定很多很多
    变化的装置直流perfor-
    曼斯。的优点
    增强了有源偏置
    模式PHEMT与耗尽
    模式PHEMT是一个负
    动力源是不需要的。该
    有源偏置的技巧
    增强型器件是
    非常类似于那些用于偏压
    双极结型晶体管。
    图2.典型的ATF- 54143 LNA具有
    有源偏置。
    一个有源偏置方案如图
    在图2中的R1和R2提供一
    在恒定电压源
    基地PNP晶体管，在Q2的。
    在底座上的恒定电压
    第二季度为上升0.7伏
    发射器。不断的发射器
    电压与稳压V
    DD
    电源是整个电阻存在
    器R3 。跨恒压
    R3提供恒定电流
    供应对漏极电流。
    电阻R1和R2用来
    设置所需的Vds 。该公
    这些bined系列的价值
    电阻器还设置量
    由消耗额外的电流
    偏置网络。该方程式
    描述电路的操作
    如下所示。
    V
    E
    = V
    ds
    + (I
    ds
    •
    R4)
    R3 =
    V
    DD
    – V
    E
    I
    ds
    (1)
    (2)
    p
    V
    B
    = V
    E
    – V
    BE
    V
    B
    =
    R1
    V
    R1 + R2
    DD
    p
    (3)
    (4)
    (5)
    V
    DD
    = I
    BB
    (R1 + R2)
    重新整理等式（ 4 ）
    提供了以下式
    R2 =
    R
    1
    (V
    DD
    – V
    B
    )
    V
    B
    (4A)
    p
    11

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