ATF- 511P8绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
总功耗
[3]
RF输入功率
[4]
通道温度
储存温度
热阻
[5]
单位
V
V
V
A
mA
W
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
7
-5 〜1
-5 〜1
1
46
3
+30
150
-65到150
33
注意事项：
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.委员会（包肚）温度T
B
为25℃ 。
减免30毫瓦/°C，对于T
B
> 50℃。
4.用10欧姆串联电阻在栅源
和3： 1的VSWR。
5.通道到电路板的热阻
使用150℃的液晶测
测量方法。
6.设备可以安全地处理+ 30dBm的RF输入
提供电源IGS限于46毫安。在IGS
P1dB的驱动电平偏置电路有关。
产品的一致性分布图表在2 GHz ， 4.5V ， 200毫安
[6,7]
1000
900
800
700
0.8 V
240
200
0.7 V
200
CPK = 1.66
标准偏差= 0.6
160
CPK = 3.24
标准偏差= 0.15
160
120
0.6 V
I
DS
（MA ）
600
500
400
300
200
100
0
0
2
4
V
DS
(V)
6
8
0.5 V
标准-3
3性病
120
标准-3
80
3性病
80
40
0
40
35
38
41
OIP3 （ dBm的）
44
47
0
28
29
P1dB的（ DBM）
30
31
图1：典型的I -V曲线
（的Vgs =每步0.1） 。
图2. OIP3
LSL = 38.5 ，额定= 41.7 。
图3的P1dB
LSL = 28.5 ，标称= 30 。
150
CPK = 1.4
标准偏差= 0.31
160
CPK = 3.03
标准偏差= 1.85
120
120
90
标准-3
60
40
3性病
80
标准-3
3性病
30
0
13
14
15
增益（dB ）
16
17
0
52
57
62
67
PAE （％）
72
77
82
图4.增益
LSL = 13.5 ，额定= 14.8 ， USL = 16.5 。
图5. PAE
LSL = 52 ，额定= 68.9 。
注意事项：
6.分布数据的样本量是4个不同的晶圆和3个不同地段采取400个样本。
分配给该产品的未来晶片可具有间的任何位置上与标称值
下限。
7.测量是在生产测试板，它代表了最优之间的权衡做出
OIP3 ， P1dB为和VSWR 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
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