ATF-10136 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ATF-10136
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内容描述：	0.5-12 GHz的低噪声砷化镓场效应管 [0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 48 K
品牌：	AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]

0.5 - 12 GHz的低噪声

砷化镓场效应管

技术参数

ATF-10136

特点

•低噪声系数：

0.5分贝典型在4GHz

•低偏置：

= 2 V，I

= 20毫安

•高相关的增益：

13.0分贝典型在4GHz

•高输出功率：

20.0 dBm的典型P

1分贝

在4GHz

•性价比高陶瓷

微带套餐

•磁带和卷轴包装

可用选项

[1]

描述

该ATF - 10136是一款高性能

砷化镓肖特基barrier-

栅场效应晶体管装在一个

成本效益微带包。其

溢价噪声系数使得这

设备适合于在第一次使用

低噪声级放大器operat-

荷兰国际集团在0.5-12千兆赫的频率范围。

此砷化镓FET器件具有标称

使用登机桥0.3微米栅长

漏手指之间的互连。

总门周边是500微米。

探明黄金金属化基础

系统和氮化物钝化

保证坚固，可靠的设备。

36微-X包

电气规格，T

= 25°C

符号

参数和测试条件

最佳的噪声系数： V

= 2 V，I

= 25毫安

F = 2.0 GHz的

F = 4.0 GHz的

F = 6.0 GHz的

F = 2.0 GHz的

F = 4.0 GHz的

F = 6.0 GHz的

F = 4.0 GHz的

单位

DBM

mmho

-4.0

12.0

分钟。

典型值。马克斯。

0.4

0.5

0.8

16.5

13.0

11.0

20.0

12.0

140

130

-1.3

180

-0.5

0.6

增益@ NF

; V

= 2 V，I

= 25毫安

1分贝

DSS

功率输出@ 1 dB增益压缩

= 4 V，I

= 70毫安

1分贝压缩增益： V

= 4 V，I

= 70毫安

跨导： V

= 2 V, V

= 0 V

饱和漏极电流： V

= 2 V, V

= 0 V

夹断电压： V

= 2 V，I

= 1毫安

注意：

1.参考包装节“带盘式包装表面贴装半导体。 ”

5-23

5965-8701E

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