�½�電流、高性�½NPNシリコン�½�バイ
ポーラ�½�トランジスタ
AT-32032
特 長
● �½�電流、�½�電圧用高性�½トランジス
タ
● 900MHz的, 5毫安, 2.7Vで特性を保证
NF : 1.3分贝(最大) , 1.0分贝(标准)
GA : 13.5分贝(最小) , 15分贝(标准)
P
1dB
: + 13dBm的(标准) @ 20mA时, 2.7V
● SOT-323(SC-70 3ピン相�½�)表面
実装プラスチック�½�パッケージ
● テープ�½�リール�½�オプションを用意
3引脚SC -70 ( SOT- 323 )
表面贴装塑料
包
概 要
A T - 3 2 0 3 2 は�½�電圧動�½�用に最適化さ
れた高性�½N P N バイポーラ・トラン
ジスタですパッケージはS 0牛逼 - 。 3 2 3
(SC-70 3ピン相�½�)の表面実装プラ
スチック�½�パッケージです。
2 . 7 V で特性を最適化しているため、
900MHz,1.9GHz,2.4GHzでのLNA、ゲ
イン・ステージ、バッファ、発振
器、またはアクティブ・ミキサなど
応 用
● PDC、PHS、CDMAなどの移動�½�
通信端末およびワイヤレスLANなど
のデータ通信機器
引脚配置
集热器
のようなバッテリ動�½�に最適で、セ
ルラやPCSのハンドセットやISMバン
ドのシステムに�½�用可�½です。
900MHzでは、2.7V,5mAのバイアス
で1.0dB(標準)NF、15dB(標準)
のゲインが得られます。また、比較
的入力整合に�½�響を受けずに、良�½
な雑音特性が得られます。1V,1mAで
も高ゲインなので, 9 0 0 M·H žのペー
ジャにも�½�用することができます。
中程度の出力パワー( + 13dBm的P
1dB
)と
�½�雑音により、�½�電流で広いダイナ
ミック・レンジに対応するデバイス
です。
32Y
BASE
辐射源
注:“Y”はデートコードを表わします。
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