低电流，高绩效
NPN硅双极晶体管
技术参数
AT-30511
AT-30533
特点
•高性能双极
晶体管优化
低电流，低电压
手术
• 900 MHz的性能：
AT- 30511 ： 1.1分贝NF ， 16分贝摹
A
AT- 30533 ： 1.1分贝NF ， 13分贝摹
A
•特点是终了
生活中使用电池（ 2.7 V ）
• SOT -23和SOT -143表面贴装
塑料封装
•带盘式包装
可用选项
[1]
描述
惠普的AT- 30511和
AT- 30533顷高性能
有NPN双极晶体管
经过优化的最大值Fi
T
at
低电压操作，使得
它们非常适用于电池
无线供电的应用
市场。在AT- 30533采用了3
引脚SOT-23 ，而AT- 30511
放置在同一芯片中的更高
性能4引脚SOT -143 。两
包是行业标准，
并具有高体积兼容
表面贴装
技术。
的3.2微米的发射极 - 发射极
俯仰和减少寄生设计
这些晶体管收益率
极高的性能
可以执行一个多产品
起见任务。 5个发射器
手指互相交叉的几何
产生一个非常快的晶体管
具有高增益和低的操作
电流。
优化的性能，在2.7 V
使这些器件非常适用于使用
在900兆赫兹， 1.8千兆赫，和2.4GHz
电池供电系统作为
低噪声放大器，增益级，缓冲器，振荡器
或有源混频器。典型的放大器
在900MHz的设计得到1.3分贝
13分贝以上的噪声系数
在2.7 V ， 1毫安相关增益
偏见。击穿电压高
足够使用5伏特。高
获得能力在1 V ， 1毫安品牌
这些器件非常适合
900 MHz的寻呼机应用。
在AT -3系列双极晶体管
使用优化的被制造
版本惠普的
10 GHz的˚F
T
30 GHz的˚F
最大
自
排列晶体管（ SAT ）的过程。
模具是氮化物钝化为
表面保护。优秀
设备均匀，性能
和可靠性是由制造
使用离子注入，自
对准技术，和黄金
金属化中的制造
这些设备。
外形绘图
发射器收藏家
305
BASE
辐射源
SOT -143 （ AT- 30511 ）
集热器
305
BASE
辐射源
SOT- 23 （ AT- 30533 ）
注意：
1.请参阅“带盘式包装
半导体器件“ 。
4-23
5965-8918E
AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
