ABA - 31563绝对最大额定值
[1]
符号
V
cc
P
in
P
DISS
T
j
T
英镑
参数
设备的电压， RF输出到地面（T = 25℃）
CW RF输入功率（ VCC = 3V ）
总功耗
[3]
结温
储存温度
单位
V
DBM
W
°C
°C
绝对最大值。
6
15
0.3
150
-65到150
热阻
[2]
（ VCC = 3V ）
θ
J- ç
= 125°C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
使用150 ℃下测定。2.热电阻
液晶测量技术。
3.委员会（包肚）温度Tc ，是
25 ℃。减免2.3毫瓦/ ℃，锝> 120.8 ℃。
电气规格
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50
Ω,
P
in
= -30 dBm时， V
cc
= 3V ，频率= 2 GHz的，除非另有说明。
符号
Gp
[1]
ΔGp
NF
[1]
P1dB
[1]
OIP3
[1]
VSWR
in[1]
VSWR
out[1]
ICC
[1]
Td
[1]
参数和测试条件
功率增益（ | S
21
|
2
)
功率增益平坦度，
噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
输出三阶截点
输入VSWR
输出VSWR
器件的电流
群时延
F = 0.1 〜 2.5 GHz的
F = 0.1 〜 3.5 GHz的
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
分钟。
20.0
典型值。
21.5
0.2
1.3
3.8
2.2
13.1
<1.5
<1.5
马克斯。
标准偏差。
4.8
mA
ps
14
140
16
注意事项：
于50Ω测试板上采取1.测量如图1所示。过量的电路损耗已解嵌入从实际测量值。标准
偏差和至少基于500份来自2晶圆批次样品大小的典型数据。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
内的上下规格界限的任意位置。
C
块
1 nF的
RF输出
1Kx
RFC
33 nH的
RF输入
C
块
1 nF的
VCC
C
绕行
100 pF的
C
绕行
1000 pF的
图1. ABA - 31563产品测试电路。
2
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