标准产品
QCOTS
TM
UT9Q512K32 16Megabit SRAM MCM
数据表
2003年6月，
特点
q
25ns的最大（ 5伏电源）地址访问时间
q
异步操作与行业兼容
标准的512K ×8的SRAM
q
TTL兼容的输入和输出电平，三态
双向数据总线
q
典型的辐射性能
- 总剂量： 50krads
- SEL免疫>80兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 让
TH
（0.25 ）= >10兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 饱和截面（厘米
2
）每个位， 5.0E -9
- <1E - 8错误/位日，亚当斯90 ％的地球同步
重离子
q
封装选项：
- 68引脚双腔陶瓷四方扁平封装（ CQFP ） -
（重7.37克）
q
标准微电路图纸5962-01511
- QML T和Q标准的一部分
介绍
该QCOTS
TM
UT9Q512K32量化商用
现成的，现成的产品是一种高性能的2M字节
（ 16兆）的CMOS静态RAM的多芯片模块（MCM） ，
组织为四个独立的524,288 ×8位的SRAM与
常见的输出使能。存储器扩展是通过提供
一个低电平有效芯片使能（EN） ，一个低电平有效输出
使能（ G）和三态驱动器。该设备具有加电
断特性，可以降低功耗超过
取消选择时的90％ 。
写入到每个存储器通过取芯片来实现
使能（ EN）输入低电平和写使能（WN ）投入低。
在8个I / O引脚的数据（ DQ
0
通过DQ
7
）然后被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
18
） 。从设备读取是通过服用完成
芯片使能（EN）和输出使能（ G）低，而强迫
写使能（WN ）高。在这些条件下，该
由地址指定的存储器位置的内容
引脚将出现在I / O引脚。
在输入/输出引脚被置于高阻抗状态
当设备被取消（ EN为高电平）时，输出
禁用（G HIGH ） ，或写操作期间（ EN低电平
和Wn的低）。执行8 ， 16 ， 24或32位被访问
Wn的制作与恩共同投入到任何
组合的离散的存储器裸片。
E3
A(18:0)
G
W3
E2
W2
E1
W1
W0
E0
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
DQ （ 31:24 ）
or
DQ3 （ 7 ： 0 ）
DQ （ 23:16 ）
or
DQ2 （ 7 ： 0 ）
DQ （ 15 ： 8 ）
or
DQ1 （ 7 ： 0 ）
DQ （ 7 ： 0 ）
or
DQ0 （ 7 ： 0 ）
图1. UT9Q512K32 SRAM框图
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
