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    8Q1024K8 参数 Datasheet PDF下载

    8Q1024K8图片预览
    型号： 8Q1024K8
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高性能1M字节（ 8Mbit的） CMOS静态RAM [high-performance 1M byte (8Mbit) CMOS static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 15 页 / 239 K
    品牌： AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
     浏览型号8Q1024K8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号8Q1024K8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号8Q1024K8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号8Q1024K8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号8Q1024K8的Datasheet PDF文件第10页浏览型号8Q1024K8的Datasheet PDF文件第11页浏览型号8Q1024K8的Datasheet PDF文件第12页浏览型号8Q1024K8的Datasheet PDF文件第13页  
    A(18:0)
    t
    AVAV
    2
    En
    t
    AVWH
    t
    ETWH
    Wn
    t
    AVWL
    Q(7:0)
    t
    WLQZ
    D(7:0)
    假设：
    1.摹< V
    IL
    （最大值）。若G > V
    IH
    （分钟）再尺寸Qn （8 ：0）将
    在三态为整个循环。
    2。G高在t
    AVAV
    周期。
    应用数据
    t
    WHWL
    t
    WHAX
    t
    WLWH
    t
    WHQX
    t
    DVWH
    t
    WHDX
    图5a 。 SRAM写周期1 ：写使能 - 受控访问
    t
    AVAV
    3
    A(18:0)
    t
    AVET
    t
    ETEF
    t
    EFAX
    En
    or
    t
    AVET
    En
    t
    ETEF
    t
    WLEF
    应用数据
    t
    EFAX
    Wn
    D(7:0)
    t
    WLQZ
    Q(7:0)
    t
    DVEF
    t
    EFDX
    假设&备注：
    1.摹< V
    IL
    （最大值）。若G > V
    IH
    （分）则Q （7 ：0）将在三态为整个循环。
    2，以上无论哪种连接情况可能会发生。
    3.摹高在t
    AVAV
    周期。
    图5b 。 SRAM写周期2 ：芯片使能 - 受控访问
    9

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