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5962-0151101 参数 Datasheet PDF下载

5962-0151101图片预览
型号: 5962-0151101
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内容描述: UT9Q512K32 16Megabit SRAM MCM [UT9Q512K32 16Megabit SRAM MCM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 138 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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DC电气特性(前/后辐射) *
( -40 ° C至+ 125°C ) (V
DD
= 5.0V + 10%)
符号
V
IH
V
IL
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH2
C
IN 1
C
IO 1
I
IN
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
低电平输出电压
高电平输出电压
高电平输出电压
输入电容
双向I / O容量
输入漏电流
三态输出漏电流
I
OL
= 8毫安,V
DD
=4.5V
I
OL
= 200μA ,V
DD
=4.5V
I
OH
= -4mA ,V
DD
=4.5V
I
OH
= 200μA ,V
DD
=4.5V
ƒ
= 1MHz的@ 0V
ƒ
= 1MHz的@ 0V
V
IN
= V
DD
和V
SS,
V
DD
= V
DD
(最大)
V
O
= V
DD
和V
SS
V
DD
= V
DD
(最大)
G = V
DD
(最大)
I
操作系统2,3
I
DD
( OP )
输出短路电流
V
DD
= V
DD
(最大值) ,V
O
= V
DD
V
DD
= V
DD
(最大值) ,V
O
= 0V
输入: V
IL
= 0.8V,
V
IH
= 2.0V
I
OUT
= 0毫安
V
DD
= V
DD
(最大)
I
DD1
( OP )
电源电流工作
@40MHz
(每字节)
输入: V
IL
= 0.8V,
V
IH
= 2.0V
I
OUT
= 0毫安
V
DD
= V
DD
(最大)
I
DD2
(SB)
电源电流待机
@0MHz
(每字节)
输入: V
IL
= V
SS
I
OUT
= 0毫安
E1 = V
DD
- 0.5, V
DD
= V
DD
(最大)
V
IH
= V
DD
- 0.5V
注意事项:
*后辐射性能保证每MIL -STD- 883方法1019 25 ℃。
1.仅在初步认证后,可能会影响输入/输出电容的工艺或设计变更测量。
2.提供的设计极限,但不能保证或测试。
3.不能有多于一个的输出可以在一个时间为一秒的最大持续时间要短。
条件
2.0
最大
单位
V
0.8
0.4
0.08
2.4
3.0
32
16
-2
-2
2
2
V
V
V
V
V
pF
pF
µA
µA
-90
90
mA
电源电流工作
@ 1MHz的
(每字节)
125
mA
180
mA
-40 ° C和
25°C
125°C
6
mA
12
mA
5