设备操作
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
E2
V
SS
E3
W0
A6
A7
A8
A9
A10
V
DD
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ0(0)
DQ1(0)
DQ2(0)
DQ3(0)
DQ4(0)
DQ5(0)
DQ6(0)
DQ7(0)
V
SS
DQ0(1)
DQ1(1)
DQ2(1)
DQ3(1)
DQ4(1)
DQ5(1)
DQ6(1)
DQ7(1)
顶视图
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
V
DD
A11
A12
A13
A14
A15
A16
E0
G
E1
A17
W1
W2
W3
A18
NC
NC
DQ0(2)
DQ1(2)
DQ2(2)
DQ3(2)
DQ4(2)
DQ5(2)
DQ6(2)
DQ7(2)
V
SS
DQ0(3)
DQ1(3)
DQ2(3)
DQ3(3)
DQ4(3)
DQ5(3)
DQ6(3)
DQ7(3)
该UT9Q512有三个控制输入所谓的使能1 （EN） ，
写使能（WN ）和输出使能（ G） ; 19地址输入，
A（ 18 ： 0 ） ;和8双向数据线， DQ （7 ：0）。卫浴设备
使能控制设备的选择，主动和待机模式。
断言恩使该设备，使我
DD
升到其活性
值，并进行解码的19个地址输入端来选择524,288 1
词语的存储器。 Wn的控制读，写操作。
在读周期，G必须置为使能输出。
表1.设备操作真值表
G
X
1
X
1
Wn
X
0
1
1
En
1
0
0
0
I / O模式
3-state
DATA IN
3-state
数据输出
模式
待机
写
读
2
读
图2. 25ns的SRAM引脚（ 68 ）
0
引脚名称
A(18:0)
DQN （ 7 ： 0 ）
En
地址
数据输入/输出
启用
Wn
G
V
DD
V
SS
写使能
OUTPUT ENABLE
动力
地
注意事项：
1. “X”被定义为“不关心”状态。
2.设备激活;输出禁用。
读周期
Wn的组合比V更大
IH
（分钟）和恩小于
V
IL
（最大值）定义一个读周期。读访问时间的测量
从设备的后启用，输出使能，或有效地址
到有效数据输出。
SRAM读周期1 ，图3a中的地址访问，是
而芯片使能在地址输入端的变化开始
以G断言和Wn的释放。有效数据出现在数据
输出DQ （ 7 ： 0 ）后，在指定吨
AVQV
是满意的。输出
在整个周期中保持有效。只要设备
启用和输出使能有效时，地址输入可能
改变的速率等于最小读周期时间（t
AVAV
).
SRAM读周期2芯片使能 - 在受控制的访问
图3b ，由恩开始去主动一边将遗体
断言， Wn中仍然拉高，而保留地址
稳定了整个循环。指定的T后
ETQV
被满足时，
由A寻址的8位字（ 18：0）被访问并显示
在数据输出端DQ （7 ：0）。
SRAM读周期3，输出使能 - 在受控制的访问
图3C ，由G开始去主动连接时断言， Wn中
是无效，并且地址是稳定的。读访问时间
t
GLQV
除非吨
AVQV
或T
ETQV
还没有得到满足。
2
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
