OP275
晶圆测试极限
(@ V =
S
15.0 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
符号
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
PSRR
A
VO
V
O
I
SY
条件
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
=
±
10.5 V
V =
±
4.5 V至
±
18 V
R
L
= 2 kΩ
R
L
= 10 kΩ
V
O
= 0 V ，R
L
=
∞
极限
1
350
50
±
10.5
80
85
250
±
13.5
5
单位
毫伏最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
分贝分钟
分贝分钟
V / mV的最小值
V分钟
最大mA
参数
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
1
共模抑制比
电源抑制比
大信号电压增益
输出电压范围
电源电流
笔记
电气测试和晶片探测到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常的产量损失，包装后的产量不保证标准
产品骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资格洽谈规格。
1
受CMRR测试保证。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
22 V
输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
22 V
差分输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
7.5 V
输出短路持续时间为GND
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
存储温度范围
P，S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
OP275G 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
结温范围
P，S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
套餐类型
8引脚塑料DIP （ P）
8引脚SOIC （ S）
θ
JA4
103
158
θ
JC
43
43
单位
° C / W
° C / W
绝对最大额定值
1
订购指南
模型
OP275GP
OP275GS
OP275GSR
OP275GBC
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
+25°C
封装选项
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
SO- 8卷， 2500个。
骰子
DICE特性
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件，除非
另有说明。
2
对于电源电压高于
±
22 V，绝对最大输入电压为
等于电源电压。
3
短裤任一电源可能会损坏设备。见数据表的全部细节。
4
θ
JA
被指定为最坏的情况，即，
θ
JA
被指定为设备在插座
对于陶瓷浸渍， P- DIP和LCC封装;
θ
JA
被指定为设备焊接在电路
板SOIC封装。
芯片尺寸0.070
×
0.108英寸（ 7560平方密耳）的
衬底连接到V-
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然OP275具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–3–
AD [ ANALOG DEVICES ]
