DAC8512
晶圆测试极限
(@ V
参数
静态性能
相对精度
微分非线性
零刻度误差
满量程电压
逻辑输入
逻辑输入低电压
逻辑输入高电压
输入漏电流
电源特性
正电源电流
功耗
电源灵敏度
DD
= +5.0 V
符号
INL
DNL
V
ZSE
V
FS
V
IL
V
IH
I
IL
I
DD
P
DISS
PSS
5%, T
A
= + 25℃ ，适用于零件号DAC8512GBC只，除非另有说明）
条件
民
–2
–1
典型值
最大
单位
最低位
最低位
最低位
V
V
V
µA
mA
mA
mW
mW
%/%
无失码
数据= 000
H
数据= FFF
H
±
3/4 +2
±
0.7 +1
+1/2 +3
4.085 4.095 4.105
0.8
2.4
10
V
IH
= 2.4 V, V
IL
= 0.8 V，空载
V
DD
= 5 V, V
IL
= 0 V ，无负载
V
IH
= 2.4 V, V
IL
= 0.8 V，空载
V
DD
= 5 V, V
IL
= 0 V ，无负载
∆V
DD
=
±
5%
1.5
0.5
7.5
2.5
0.002
2.5
1
12.5
5
0.004
记
电气测试在晶片探针进行到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常产量损失，包装后产率，不能保证
对于标准产品的骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资格洽谈规格。
绝对最大额定值*
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V， + 10 V
逻辑输入到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+ 0.3 V
V
OUT
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+ 0.3 V
I
OUT
短路接地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
封装功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （T
J
马克斯 - T的
A
)/θ
JA
热阻
θ
JA
8引脚塑料DIP封装（ P） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 103 ° C / W
8引脚SOIC封装（ S） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 158 ° C / W
最高结温（T
J
最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40ºC至+ 85ºC
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
*条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然DAC8512具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
订购指南
INL温度
（ LSB ）范围
±
1
±
2
±
2
±
2
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
+25°C
包
包
说明选项
8引脚P- DIP的N- 8
8引脚P- DIP的N- 8
8引脚SOIC封装SO- 8
骰子
模型
DAC8512EP
DAC8512FP
DAC8512FS
DAC8512GBC
REV 。一
–3–
AD [ ANALOG DEVICES ]
