特点
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单2.5V或2.7V至3.6V电源
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急流串行接口: 66MHz的最大时钟频率
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- 兼容SPI模式0和3
用户可配置的页面大小
- 256字节每页
- 264字节每页
- 页面大小可在工厂预先配置为256字节
页编程操作
- 智能编程操作
- 4096页( 264分之256字节/页)主内存
灵活的擦除选项
- 页擦除( 256字节)
- 块擦除( 2字节)
- 扇区擦除( 64字节)
- 芯片擦除( 8Mbits )
两个SRAM数据缓冲区( 256 / 264字节)
- 允许数据的接收,同时重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25μA待机电流典型
- 15μA深度掉电典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
部门锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
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8-megabit
2.5V或2.7V
数据闪存
AT45DB081D
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1.描述
该Adesto
®
AT45DB081D是2.5V或2.7V ,串行接口闪存
非常适用于种类繁多的数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据stor-的
年龄的应用程序。该AT45DB081D支持急流
™
串行接口
应用要求非常高的速度操作。急流串行接口SPI的COM
兼容的频率高达66MHz的。其8650752位的内存被组织成
4096页的256字节或每264个字节。除了主存储器,所述
AT45DB081D还包含每个256 / 264字节的两片SRAM缓冲器。缓冲区
允许数据的接收,而在主存储器中的页面进行重新编程,
以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位或字节alterabil-
性)是很容易用一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。
不同于与多个随机访问的传统闪存
3596O–DFLASH–1/2013