ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412
电气特性- 3 V操作
2.7 V ≤ V
DD1
≤ 3.6 V, 2.7 V ≤ V
DD2
≤ 3.6 V ;所有最小值/最大值规格适用于整个推荐的工作范围，
除非另有说明;所有典型规格在T
A
= 25 ° C，V
DD1
= V
DD2
= 3.0 V.所有电压均参照其各自的地。
表2中。
参数
DC特定网络阳离子
每个通道的输入电源电流，
静
每通道输出电源电流，
静
ADuM1410 ，总电源电流，四
频道
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的（仅BRWZ版）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
ADuM1411 ，总电源电流，四
频道
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的（仅BRWZ版）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
ADuM1412 ，总电源电流，四
频道
DC到2 Mbps的
V
DD1
或V
DD2
电源电流
10 Mbps的（仅BRWZ版）
V
DD1
或V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
符号
I
DDI （ Q）
I
DDO （ Q）
民
典型值
0.25
0.19
最大
0.38
0.33
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
1.2
0.8
1.6
1.0
mA
mA
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
4.5
1.4
6.5
1.8
mA
mA
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
1.0
0.9
1.9
1.7
mA
mA
直流到1 MHz逻辑信号频率
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
3.1
2.1
4.5
3.0
mA
mA
I
DD1 （ Q）
, I
DD2 （ Q）
1.0
1.8
mA
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
5 MHz的逻辑信号频率
0 V ≤ V
IA
, V
IB
, V
IC
, V
ID
≤ V
DD1
或V
DD2
,
0 V ≤ V
CTRL1
, V
CTRL2
≤ V
DD1
或V
DD2
,
0 V ≤ V
关闭
≤ V
DD1
I
DD1 (10)
, I
DD2 (10)
I
IA
, I
IB
, I
IC
,
I
ID
, I
CTRL1
,
I
CTRL2
, I
关闭
V
IH
V
IL
V
OAH
, V
OBH
,
V
OCH
, V
ODH
V
OAL
, V
OBL
,
V
OCL
, V
ODL
−10
2.6
3.8
mA
μA
+0.01 +10
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
逻辑低输出电压
1.6
0.4
(V
DD1
或V
DD2
) − 0.1
(V
DD1
或V
DD2
) − 0.4
3.0
2.8
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.4
V
V
V
V
V
V
V
I
Ox
= -20 μA ，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安， V
Ix
= V
IXL
交换特定网络阳离子
ADuM141xARWZ
最小脉冲宽度
最大数据速率
传播延迟
脉冲宽度失真， |吨
PLH
− t
PHL
传播延迟偏斜
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
1
20
75
1000
100
40
50
ns
Mbps的
ns
ns
ns
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
修订版G |第24 5
AD [ ANALOG DEVICES ]
