ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412
电气特性- 3 V操作
2.7 V ≤ V
DD1
≤ 3.6 V, 2.7 V ≤ V
DD2
≤ 3.6 V ;所有最小值/最大值规格适用于整个推荐的工作范围，除非
另有说明;所有典型规格在T
A
= 25 ° C，V
DD1
= V
DD2
= 3.0 V.
表2中。
参数
DC特定网络阳离子
每通道静态输入电源电流
每通道静态输出电源电流
ADuM1410 ，总电源电流，四通道
2
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的（仅BRW级）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
ADuM1411 ，总电源电流，四通道
2
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的（仅BRW级）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
ADuM1412 ，总电源电流，四通道
2
DC到2 Mbps的
V
DD1
或V
DD2
电源电流
10 Mbps的（仅BRW级）
V
DD1
或V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
符号
I
DDI （ Q）
I
DDO （ Q）
民
典型值
0.25
0.19
最大单位
0.38毫安
0.33毫安
测试条件
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
1.2
0.8
4.5
1.4
1.6
1.0
6.5
1.8
mA
mA
mA
mA
直流到1 MHz逻辑信号频率
直流到1 MHz逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
1.0
0.9
3.1
2.1
1.9
1.7
4.5
3.0
mA
mA
mA
mA
直流到1 MHz逻辑信号频率
直流到1 MHz逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
I
DD1 （ Q）
, I
DD2 （ Q）
I
DD1 (10)
, I
DD2 (10)
I
IA
, I
IB
, I
IC
,
I
ID
, I
CTRL1
,
I
CTRL2
, I
关闭
V
IH
V
IL
V
OAH
, V
OBH
,
V
OCH
, V
ODH
V
OAL
, V
OBL
,
V
OCL
, V
ODL
−10
1.0
2.6
1.8
3.8
mA
mA
μA
直流到1 MHz逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
0 ≤ V
IA
,V
IB
, V
IC
,V
ID
≤ V
DD1
或V
DD2
,
0 ≤ V
CTRL1
,V
CTRL2
≤ V
DD1
或V
DD2
,
V
关闭
≤ V
DD1
+0.01 +10
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
逻辑低输出电压
1.6
0.4
V
DD1
, V
DD2
− 0.1 3.0
V
DD1
, V
DD2
− 0.4 2.8
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.4
V
V
V
V
V
V
V
I
Ox
= -20 μA ，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安， V
Ix
= V
IXL
交换特定网络阳离子
ADuM1411ARW和ADuM1412ARW
最小脉冲宽度
最大数据速率
传播延迟
5
脉冲宽度失真， |吨
PLH
− t
PHL
传播延迟偏斜
通道到通道匹配
ADuM141xBRW
最小脉冲宽度
最大数据速率
传播延迟
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD / OD
PW
t
PHL
, t
PLH
10
20
40
1
20
75
1000 NS
Mbps的
100纳秒
40
ns
50
ns
50
ns
100
60
ns
Mbps的
ns
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
修订版E |第20页5
AD [ ANALOG DEVICES ]
