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ADR425ARMZ 参数 Datasheet PDF下载

ADR425ARMZ图片预览
型号: ADR425ARMZ
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内容描述: 超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 [Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References]
分类和应用:
文件页数/大小: 24 页 / 392 K
品牌: AD [ ANALOG DEVICES ]
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超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V /
3.00 V / 5.00 V XFET
®
电压参考
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425
特点
低噪声( 0.1 Hz至10 Hz )
ADR420 : 1.75 μV P-P
ADR421 : 1.75 μV P-P
ADR423 : 2.0 μV P-P
ADR425 : 3.4 μV P-P
低温度系数为3 ppm /°C的
长期稳定性: 50 PPM /千小时
负载调整率: 70 PPM / MA
线路调整率: 35 PPM / V
低滞后: 40 ppm(典型)
宽工作范围
ADR420 : 4 V至18 V
ADR421 : 4.5 V至18 V
ADR423 : 5 V至18 V
ADR425 : 7 V至18 V
静态电流:0.5 mA(最大值)
高输出电流: 10毫安
宽温度范围: -40 ° C至+ 125°C
引脚配置
TP
1
V
IN 2
网卡
3
6
V
OUT
顶视图
GND
4
(不按比例)
5
TRIM
ADR420/
ADR421/
ADR423/
ADR425
8
7
TP
网卡
NIC =无内部连接
TP =测试引脚( DO NOT CONNECT )
图1. 8引脚SOIC , 8引脚MSOP
概述
该ADR42x是一系列超精密的,第二代
额外注入结型场效应管( XFET )基准电压源
具有低噪声,高精度和出色的长期
稳定, SOIC和MSOP封装。
专利的温度漂移曲率校正技术,
XFET技术减少电压变化的非线性
随着温度。该XFET架构提供卓越的
精度和热滞的带隙基准电压。它
也工作在更低的功耗和更低的电源裕量较
埋齐纳参考。
精湛的噪声和稳定准确的特点
在ADR42x的使其理想用于精密转换
应用,如光网络和医疗设备。
该ADR42x修剪终端也可以用来调整输出
把电压在± 0.5%范围内不影响任何
其他性能。该ADR42x系列电压基准
提供两种电气等级,并规定工作在扩展级
工业级温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。设备有
8引脚SOIC封装或30 %以下, 8引脚MSOP封装。
应用
精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光网络的控制电路
ADR42x产品
表1中。
模型
ADR420
ADR421
ADR423
ADR425
输出电压V
OUT
(V)
2.048
2.50
3.00
5.00
初始精度
mV
%
1, 3
0.05, 0.15
1, 3
0.04, 0.12
1.5, 4
0.04, 0.13
2, 6
0.04, 0.12
温度COEF网络cient ( PPM / ° C)
3, 10
3, 10
3, 10
3, 10
我牧师
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