ADM690–ADM695
CE
门控和RAM写保护（ ADM691 / ADM693 /
ADM695)
电源失效比较器警告
在ADM691 / ADM693 / ADM695产品包括内存
保护电路，它可确保在内存数据的完整性
储器通过阻止写操作时， V
CC
是无效的
的水平。有两个附加引脚，
CE
IN
和
CE
OUT
，这
可以用来控制芯片使能或写的输入
CMOS RAM 。当V
CC
是目前
CE
OUT
是缓冲复制品
of
CE
IN
，用5 ns的传播延迟。当V
CC
瀑布下方
复位电压阈值或V
BATT
，内部门力量
CE
OUT
高的，独立的
CE
IN
.
CE
OUT
通常驱动
CE， CS ，
或写电池的输入
备份CMOS RAM 。这保证了数据的完整性
在内存中，防止写操作时， V
CC
是一个IN-
有效电平。的EEPROM的类似保护可以通过以下方式实现
使用
CE
OUT
开车商店或写输入。
如果的5纳秒典型传播延迟
CE
OUT
过多，连续的
NECT
CE
IN
到GND和使用结果
CE
OUT
以控制
高速的外部逻辑门。
ADM69x
CE
IN
CE
OUT
一个额外的比较器提供了一种用于故障的早期预警
在微处理器的电源。在电源故障输入
（ PFI ）比较，以内部1.3 V基准电压源。电源
失败输出（ PFO）变低时，在PFI的电压小于
1.3V。通常PFI由外部分压器驱动
其检测任一所述未稳压的直流输入到系统的5伏
调节器或稳压5 V输出。的电压分压比
可以选择，使得在PFI的电压低于1.3V时sev-
+5 V电源低于前全部擦除毫秒
复位门限。
PFO
通常用来中断微处理器的
处理器，使得数据可以被存储在RAM中的关闭
电源之前执行的程序丢失
输入
动力
R
1
1.3V
动力
失败
输入
PFO
动力
失败
产量
R
2
ADM69x
V
CC
LOW = 0
V
CC
OK = 1
图7.电源失效比较器
表II中。输入和输出状态在电池备份模式
图5.芯片使能选通
V
CC
V2
V1
V2
V1
信号
状态
V
OUT
RESET
V
OUT
连接到V
BATT
经由内部
PMOS开关。
逻辑低电平。
逻辑高电平。开路输出电压为
等于V
OUT
.
逻辑低电平。
逻辑高电平。的开路电压等于
V
出。
WDI被忽略。据内部断开
从内部上拉电阻和不
源出或吸入电流，只要它的输入电压
是GND和V之间
OUT
。输入电压
不影响电源电流。
逻辑高电平。的开路电压等于
到V
OUT
.
电源失效比较器被关闭，
对电源故障输出没有影响。
逻辑低电平。
CE
IN
被忽略。据内部断开
从它的内部上拉，不采购或
吸收电流，只要它的输入电压为
GND和V之间
OUT
。输入电压
不影响电源电流。
逻辑高电平。的开路电压等于
V
OUT
.
OSC IN被忽略。
OSC SEL被忽略。
REV 。一
RESET
t
1
t
1
RESET
低线
低线
BATT ON
WDI
CE
IN
WDO
CE
OUT
PFI
t
1
=复位时间。
V1 =复位阈值电压低
V2 =复位阈值电压高
滞后= V2 -V1
PFO
CE
IN
图6.芯片使能定时
CE
OUT
OSC IN
OSC SEL
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