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ADM660AR 参数 Datasheet PDF下载

ADM660AR图片预览
型号: ADM660AR
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内容描述: CMOS开关电容电压转换器 [CMOS Switched-Capacitor Voltage Converters]
分类和应用: 转换器稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 114 K
品牌: AD [ ANALOG DEVICES ]
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ADM660/ADM8660
反转负电压发生器
表II中。 ADM8660电荷泵频率选择
图19和图20示出了ADM660 / ADM8660构造成
产生一个负的输出电压。从输入电源电压
1.5伏上升到7V的是允许的。对于电源电压低于3V时,
LV必须连接到GND 。这种绕过内部
调节器电路,并给出了在低电压的最佳性能
应用程序。随着电源电压大于3 V ,LV可能
可无论是连接到GND或悬空。任由设施
大老直接代换为ICL7660 。
+ 1.5V至+ 7V
输入
FC
CAP +
C1
10µF
GND
CAP-
FC
GND
V+
GND或V +
GND
OSC
开放
开放
EXT CAP
EXT CLK
电荷泵
C1, C2
25千赫
10
µF
120千赫
2.2
µF
见典型特征
EXT CLK频率/ 2
+ 1.5V至+ 7V
输入
CLK OSC
ADM660
V+
OSC
LV
OUT
C2
10µF
产量
C1
FC
CAP +
GND
CAP-
ADM660
ADM8660
V+
OSC
LV
OUT
CMOS门
C2
产量
图19. ADM660电压型逆变器的配置
+ 1.5V至+ 7V
输入
FC
CAP +
C1
10µF
关闭
控制
GND
CAP-
SD
LV
OUT
C2
10µF
产量
V+
图21. ADM660 / ADM8660外部振荡器
倍压配置
ADM8660
图22示出被配置以产生增大的ADM660
输出电压。作为在反相模式中,只有两个外部钙
pacitors是必需的。倍增功能是通过重新取得
移动程序的一些连接到该设备。输入电压为
施加到GND引脚和V +被用作输出。输入
从2.5伏到7V的电压是允许的。在此配置中,
销LV,输出必须连接到GND 。
无负载输出电压在该结构是2 (Ⅴ
IN
).
输出电阻和波纹类似于电压反相
配置。
注意, ADM8660不能在电压用
加倍的配置。
FC
CAP +
+2.5V
至+ 7V
输入
10µF
GND
CAP-
LV
OUT
图20. ADM8660电压型逆变器的配置
振荡器频率
内部电荷泵频率可以被选择为
无论是25 kHz或使用变频调速120千赫( FC )
输入。与未连接的FC ( ADM660 )或连接到GND
( ADM8660 ) ,内部电荷泵运行在25 kHz的同时,如果
FC连接到V +时,频率增加的一个因素
5 。增加频率允许使用更小的电容器是
用于相同的性能,或者,如果电容器大小是非
改变的,这导致较低的输出阻抗和纹波。
如果其他电荷泵频率比两个固定的值是
需要的话,这使得有可能通过OSC的输入,它可以EI-
疗法有一个电容器连接到它或由过驱动
外部时钟。请参考典型性能字符
开创性意义,它显示了电荷泵频率的变化
与电容的大小。电荷泵频率为二分之一
振荡器的频率施加到OSC引脚。
如果使用外部时钟用于过载振荡器,其水平
应摆动范围内的V +和GND 100毫伏。一种CMOS
驱动,因此,合适的。当OSC过度工作,具有FC
没有影响,但LV必须接地。
注意,过驱动只被允许在电压
逆变器的配置。
表一, ADM660电荷泵频率选择
ADM660
V+
OSC
10µF
倍增
积极
产量
图22.电压倍增配置
关断输入
该ADM8660包含关断输入,可用于
禁用该设备,从而降低了功耗。一
逻辑高电平的SD输入关闭该设备降低了下来
到0.3的静态电流
µA.
在关断期间输出
电压变为0V。因此,接地参考负载
在这种状态下不能驱动。当退出关断花费
几个周期(约500
µs)
对于电荷泵
达到最终值。如果关断功能不被使用,
然后SD应连接至GND 。
电容的选择
FC
开放
V+
打开或V +
开放
REV 。一
OSC
开放
开放
EXT CAP
EXT CLK
电荷泵
C1, C2
25千赫
10
µF
120千赫
2.2
µF
见典型特征
EXT CLK频率/ 2
–7–
最佳电容值的选择取决于电荷
泵的频率。与25 kHz的选择, 10
µF
电容
推荐的,而与120千赫选择, 2.2
µF
电容器
可被使用。其他频率允许其他电容值
被使用。为在所有情况下的最大效率,建议
这与使用低ESR的电容器用于电荷泵。
低ESR电容给两个最低的输出电阻和
最低的纹波电压。高输出电阻降低了整体
功率效率降低,使电压下降,尤其是在高