ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
3V
EN
输入
0V
V
OH
接收器
产量
V
OL
V
OL
+ 0.1V
接收器
输入
D1
R
IN
D2
Rx
t
DR
V
OH
– 0.1V
发送器输出和接收器输入具有类似的保护
化结构。接收器输入端还可以消散一些
通过内部5千瓦的能量（或22千瓦的ADM3310E ）
电阻GND以及通过保护二极管。
图5.接收器禁用定时
3V
EN
输入
0V
V
OH
接收器
产量
V
OL
图7a 。接收器输入保护方案
t
ER
3V
0.4V
Tx
D1
D2
发射机
产量
图6.接收器使能时间
高波特率
该ADM33xxE具有高转换速率，允许数据传输
使命率远远超过了EIA / RS - 232E规格。
RS - 232电平保持在数据速率高达230 kbps的
（ 460 kbps的用于ADM3307E ）在最差的加载条件下。
这使得两个终端之间的高速数据链路。
布局和电源去耦
图7b 。变送器输出保护方案
因为高频率处的ADM33xxE振荡器
工作时，尤其应注意与印刷电路
电路板布局，其中所有的痕迹是尽可能地短和C1至
C 3被连接为靠近器件成为可能。利用
下和周围的设备的接地平面的也是高度
推荐使用。
当振荡器绿色怠速运转时启动，大
电流脉冲，从V截取
CC
。为此，V
CC
应
去耦的10的并联组合
mF
钽和
0.1
mF
陶瓷电容器，安装为靠近V
CC
引脚
可能。
电容C1到C3可以具有0.1的值
mF
1
μF的。
较大的值给出较低的纹波。这些电容可以是
选用低等效串联电阻的电解电容
（ESR）或无极性的类型，但使用陶瓷类是
强烈推荐。如果极化铝电解电容器
用过的，极性必须遵守（如图C1 + ） 。
ESD / EFT瞬态保护方案
该ADM3307E保护方案略有不同（见
图8a和图8b ） 。接收器输入端，发射器输入，
发射机输出包含两个背到后面高速合模
二极管。接收器输出（ CMOS输出） ， SD和
EN
引脚
包含单个反向偏置高速钳位二极管。下
具有最大的CMOS信号电平的正常操作中，接收器
输出，SD ，和
EN
保护二极管，因为有没有影响
它们被反向偏置。然而，如果该电压超过大约
15V，反向击穿发生，且电压被钳位在
这个水平。如果电压达到-0.7 V时，二极管正向
偏置，所述电压钳位在该电平。接收器输入
也可以通过内部5千瓦消散一些能量
电阻GND以及通过保护二极管。
接收器
输入
D1
R
IN
D2
Rx
D3
接收器
产量
图8a 。 ADM3307E接收器输入保护方案
该ADM33xxE采用钳位保护结构上的所有输入
并且夹紧电压到一个安全水平和消散输出
目前在ESD （静电）和EFT能源（电快速
瞬态）的排放。保护的简化原理图
下面的结构示于图7a和7b （参见图8a和
图8b为ADM3307E保护结构） 。每个输入和输出
包含两个背到后端的高速钳位二极管。在去甲
发作的操作与最大的RS-232信号电平，所述二极管具有
无影响的一个或另一个是反向偏置依赖于
极性的信号。然而，如果该电压超过大约
±50
V,
反向击穿发生，且电压被钳位在该电平。
二极管是专门用来处理大pn结
瞬时浪涌电流可以超过几安培。
发射机
产量
D3
D4
Tx
D1
D2
发射机
输入
图8b 。 ADM3307E变送器输出保护方案
保护结构实现ESD保护达
±15
千伏
所有的RS - 232 I / O口线（以及所有CMOS线路，包括SD和
EN
为ADM3307E ） 。该方法用于测试保护
方案将在后面讨论。
启摹
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