ADM2483
特定网络阳离子
2.7 ≤ V
DD1
≤ 5.5 V, 4.75 V ≤ V
DD2
≤ 5.25 V ，T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。
表1中。
参数
司机
差分输出
差分输出电压，V
OD
民
典型值
最大
单位
测试条件/评论
2.0
1.5
1.5
∆ |V
OD
|为互补输出国家
共模输出电压，V
OC
∆ |V
OC
|为互补输出国家
输出短路电流，V
OUT
=高
输出短路电流，V
OUT
= LOW
逻辑输入
输入高电压
输入低电压
CMOS逻辑输入电流（TXD ， DE ， RE ， PV）
接收器
差分输入
差分输入阈值电压，V
TH
输入滞后
输入电阻（A ， B）
输入电流（A ， B）
RxD端逻辑输出
输出高电压
输出低电压
输出短路电流
三态输出漏电流
电源电流
逻辑端
7
5
5
5
5
0.2
3
0.2
+250
+250
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
V
µA
−250
−250
0.7 V
DD1
−10
+0.01
R = ∞ ，见图3
R = 50 Ω （ RS - 422 ） ，见图3
R = 27 Ω （ RS-485） ，见图3
V
TST
= -7 V至+12 V ，V
DD1
≥ 4.75,
参见图4
R = 27 Ω或50 Ω ，见图3
R = 27 Ω或50 Ω ，见图3
R = 27 Ω或50 Ω ，见图3
−7 V ≤ V
OUT
≤ +12 V
−7 V ≤ V
OUT
≤ +12 V
TXD， DE ， RE ， PV
TXD， DE ， RE ， PV
TXD， DE ， RE ， PV = V
DD1
或0 V
0.25 V
DD1
+10
−200
96
−125
20
150
−30
0.125
−0.1
V
DD1
− 0.1
V
DD1
− 0.4 V
DD1
− 0.2
0.1
0.4
85
±1
2.5
1.3
mV
mV
kΩ
mA
mA
V
V
V
V
mA
µA
mA
mA
mA
mA
KV / μs的
−7 V ≤ V
CM
≤ +12 V
−7 V ≤ V
CM
≤ +12 V
−7 V ≤ V
CM
≤ +12 V
V
IN
= +12 V
V
IN
= −7 V
I
OUT
= 20 μA ，V
A
− V
B
= 0.2 V
I
OUT
= 4毫安， V
A
− V
B
= 0.2 V
I
OUT
= -20 μA ，V
A
− V
B
= −0.2 V
I
OUT
= -4毫安，V
A
− V
B
= −0.2 V
V
OUT
= GND或V
CC
0.4 V ≤ V
OUT
≤ 2.4 V
4.5 V ≤ V
DD1
= 5.5 V ，输出空载，
RE = 0 V
2.7 V ≤ V
DD1
≤ 3.3 V ，输出空载，
RE = 0 V
输出空载， DE = 5 V
输出空载， DE = 0 V
TXD = V
DD1
或0 V ，V
CM
= 1千伏，
瞬变幅度= 800 V
母线侧
共模瞬态抗扰度
1
2.0
1.7
25
共模瞬态抑制能力是可以同时保持符合规范的操作来保持的最大共模电压压摆率。
V
CM
是逻辑和总线侧之间的共模电势差。瞬变幅度是在其上共模压摆的范围。该
共模电压压摆率适用于上升和下降的共模电压的边缘。
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