ADM2209E–SPECIFICATIONS
参数
工作条件
工作电压范围，V
DD
待机电压范围，V
STBY
V
DD
电源电流
2
V
STBY
电源电流
发射器（驱动器）的CMOS输入
输入上拉电流
高电平输入电压，V
INH
低电平输入电压，V
INL
民
(V
DD
= 10.8 V至13.2 V ，V
STBY
= 3.3 V，5 ％或5 V 10 ％ ， C1 = C2 = 0.1 F.所有
规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
典型值
1
最大
单位
测试条件/评论
+10.8 +12 +13.2 V
+3.15
+5.5 V
5
mA
100 200
10
2.1
0.4
25
µA
µA
V
V
V
mA
Ω
V
V
V
V
kΩ
V
V
µA
Kbps的
Kbps的
Kbps的
1
1
16
16
µs
µs
V / μs的
V / μs的
无负载，所有的驱动器输入为0.8 V或2 V ，
所有接收器输入为+15 V或-15 V
无负载，所有的Tx在V
STBY
或打开
发射器输入在GND
器（ DRIVER ） EIA- 232产出
输出电压摆幅
±
5.0
±
9.0
±
5
±
15
±
30
输出短路电流，我
OS
输出电阻
300
接收器EIA- 232 INPUTS
输入电压范围
输入低阈值，V
TL
输入高阈值，V
TH
输入滞后
输入电阻，R
IN
接收器输出
4
高电平输出电压V
OH
低电平输出电压，V
OL
输出漏电流（除R5A ， R5B ）
驱动器开关特性
5
最大数据速率
–15
0.4
+15
1.45
1.7 2.4
0.25
5
7
所有发送器输出满载3 kΩ到GND
V
O
= 0 V, V
IN
= 0.8 V
3
V
DD
= 0 V, V
STBY
= 0 V, V
IN
=
±
2 V
3
2.4
V
IN
=
±
15 V
I
OH
= –40
µA
I
OL
= 1.6毫安
V
DD
= 0 V
R
L
= 3 kΩ至7千欧，C
L
= 50 pF到470 pF的
R
L
= 3 kΩ至7千欧，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
T
A
= 0 ° C至+ 85°C ， 5 V
±
10 ％只
R
L
= 3 kΩ至7千欧，C
L
= 50 pF到470 pF的，
V
STBY
= 5 V
±
5%, V
DD
= 12 V
±
5%
R
L
= 3千欧，C
L
= 1000pF的（图1和图2）
R
L
= 3千欧，C
L
= 1000pF的（图1和图2）
R
L
= 3 kΩ至7千欧，C
L
= 50 pF到470 pF的
R
L
= 3 kΩ至7千欧，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
V
STBY
= 5 V
±
10 ％而已。从+3 V测
为-3 V ，反之亦然
C
L
= 150 pF的，V
STBY
= 5 V
±
5％的只有
C
L
= 150 pF的
C
L
= 150 pF的
C
L
= 150 pF的
图3和图4
0.2 0.4
0.05
±
5
460
460
920
传输延时，高至低，T
PHL
传输延迟，从低到高，T
PLH
过渡区转换率
过渡区压摆率（ 5 V ）
6
4
接收器开关特性
最大数据速率
920
460
传输延迟， R1- R4
传播延迟， R5
输出上升时间，t
r
输出下降时间，t
f
ESD和EMC
ESD保护（ I- O引脚）
0.4
1
30
30
±
15
±
15
±
8
±
2.5
±
2
10
0.75
2
Kbps的
Kbps的
µs
µs
ns
ns
kV
kV
kV
kV
kV
V / M
ESD保护
（所有其它引脚）
EFT保护（ I- O引脚）
EMI抗扰性
人体模型
IEC1000-4-2气隙放电
IEC1000-4-2接触放电
人体模型， MIL -STD- 883B
IEC1000-4-4
IEC1000-4-3
笔记
1
所有标准被定为V
DD
= +12 V, V
STBY
= 5 V ，T
A
= +25°C.
2
电流进入器件引脚被定义为正。电流输出装置的销被定义为负。所有电压都称为接地，除非另有规定。为
当前，最小和最大的值被指定为绝对值和符号用于指示方向。对于电压逻辑电平，更积极的价值
指定为最大。例如，如果-6 V为最大时，典型值（ -6.8 V）较为不利。
3
只有一个驱动器输出短路的时间。
4
如果接收器输入端未连接，接收器输出逻辑高电平。
5
参见典型曲线。驱动器输出压摆率从3.0 V到的输出波形的-3.0 V电平测量。转换速率由负载电容来确定。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
AD [ ANALOG DEVICES ]
