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ADG708BRUZ 参数 Datasheet PDF下载

ADG708BRUZ图片预览
型号: ADG708BRUZ
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内容描述: CMOS , 1.8 V至5.5 V / A ± 2.5 V , 3个I ©低压4- / 8通道多路复用器 [CMOS, 1.8 V to 5.5 V/±2.5 V, 3 Ω Low Voltage 4-/8-Channel Multiplexers]
分类和应用: 复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输出元件PC
文件页数/大小: 20 页 / 332 K
品牌: AD [ ANALOG DEVICES ]
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数据表
V
DD
= 3 V ± 10%, V
SS
= 0V ,GND = 0V ,除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
+25°C
B版本
-40 ° C至-40 ° C至
+85°C
+125°C
0 V至
V
DD
8
11
0.4
12
14
8
11
0.4
12
14
+25°C
C版
-40 ° C至-40 ° C至
+85°C
+125°C
0 V至
V
DD
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
±0.3
±1
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
30
8
1
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
电荷注入
关断隔离
18
30
8
15
±3
−60
−80
通道到通道的串扰
−60
−80
-3 dB带宽
55
15
±3
−60
−80
−60
−80
55
30
8
15
15
1
18
30
30
1
1
30
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
ADG708/ADG709
测试条件/
评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
见图20
V
S
= 0 V到V
DD
,
I
DS
= 10毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
见图21
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
见图22
V
S
= V
D
= 1或3V ;
见图23
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
1.2
±0.01
±20
流掉泄漏,我
D
(关闭)
±0.01
±20
渠道渗漏,我
D
, I
S
(上)
±0.01
±20
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
数字输入电容,C
IN
动态特性
t
过渡
2
±0.01
±20
±0.1
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
1.2
2
±20
±0.75
±6
±20
2.0
0.8
±0.75
±6
2.0
0.8
0.005
±0.1
2
18
30
30
0.005
±0.1
2
18
V
IN
= V
INL
或V
INH
先开后合式时间
延迟,T
开放
8
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
见图24
V
S1
= 2 V/0 V, V
S2
= 0 V/2 V
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图26
V
S
= 1.5 V ,R
S
= 0 Ω,
C
L
= 1 nF的;参见图27
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的,
F = 10MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的,
F = 1兆赫;参见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的,
F = 10MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的,
F = 1兆赫;参见图29
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;
见图30
修订版D |第20页5