ADG511/ADG512/ADG513
0.008
V
DD
= +5V
V
SS
= –5V
T
A
= +25 C
0.004
漏电流 - NA
I
D
（上）
0.002
I
D
（关闭）
网络ř
C
和C
C
。这种补偿网络也降低
保持时间的毛刺，同时优化了采集时间。运用
所示的运算放大器和元件值，该基座
误差为5毫伏以上的最大值
±
3 V输入范围。
采集时间为2.5
µs
而沉降时间是1.85
µs.
+5V
0.000
I
S
（关闭）
SW2
+5V
S
SW1
AD845
–5V
–4
–3
–2
–1
1
2
3
4
0
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压 - V
5
S
D
D
V
IN
2200pF
+5V
–0.002
–0.004
R
C
75
C
C
1000pF
OP07
V
OUT
–0.006
–5
C
H
2200pF
–5V
图7.漏电流为V的功能
D
(V
S
)
ADG511
ADG512
ADG513
–5V
110
V
DD
= +5V
V
SS
= –5V
100
图9.准确采样与保持
沟槽隔离
90
80
在MOS器件构成ADG511A / ADG512A /
ADG513A彼此分离的氧化物层
（沟槽）（参见图10） 。当NMOS和PMOS器件
不彼此电隔离的，存在的
的“闩锁”的可能性引起的寄生结
CMOS晶体管。闭锁时引起的P- N结的
通常是反向偏置，成为正向偏置，从而导致
大电流流过。这可能是破坏性的。
CMOS器件通常由彼此分离
结隔离。
在结隔离的N和P阱
CMOS晶体管形成的反向偏压下的二极管
正常操作。然而，在过压的条件下，这
二极管正向偏置。硅控整流器
（SCR ）型电路是由两个晶体管构成，使
当前的显著放大，进而导致
闭锁。随着沟槽隔离，这种二极管被删除;该
结果是闩锁型电路。
V
S
V
G
V
D
V
S
V
G
V
D
串扰 - 分贝
70
60
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
10M
图8.串扰与频率的关系
应用
图9示出一个精确的采样和保持电路。一个AD845
作为同时输出的运算放大器的输入缓冲器
是OP07 。在轨道模式下， SW1闭合而
输出电压V
OUT
跟随输入信号V
IN
。在保持模式下，
SW1被打开，该信号是由保持电容器C的保持
H
.
由于对Hold开关和电容漏电，电压
电容器会随时间而减少。该ADG511 / ADG512 /
ADG513最大限度地减少这种下垂，由于其低漏规格
系统蒸发散。下降率是通过使用一个聚的进一步最小化
苯乙烯保持电容。所示的下降率的电路
通常15
μV / μs的。
第二个开关， SW2 ，经营并联SW1 ，是
包括在该电路中，以减少基底误差。由于这两种
开关将处于相同的电势，它们将有一个differen-
TiAl金属效果的运算放大器OP07 ，这将最大限度地减少费用
注射的效果。基底误差也减小由补偿
T
R
E
N
C
H
P
+
P沟道
P
+
N
–
T
R
E
N
C
H
N
+
N沟道
N
+
P
–
T
R
E
N
C
H
埋氧层
衬底（ BACKGATE ）
图10.沟槽隔离
–8–
版本B
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