ADG508A/ADG509A
单电源
V
DD
= 10.8 V至16.5 V ，V
SS
= GND = 0V时，除非另有说明。
表2中。
ADG508A/
ADG509A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°C
GND
V
DD
500
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
GND
V
DD
ADG508A/
ADG509A
B版本
-40 ° C至
+25°C +85°C
GND
V
DD
500
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
GND
V
DD
ADG508A/
ADG509A
T版
-55℃〜
+25°C +125°C
GND
V
DD
500
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
GND
V
DD
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
单位
V分钟
V最大
= （典型值）
=最大
％/℃ （典型值）
％ （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
评论
GND £ V
S
= 10 V，I
DS
= 0.5毫安;
见图14
V
S
= 0, I
DS
- 0.5毫安
GND £ V
S
= 10 V，I
DS
- 0.5毫安
V1 = 10V / GND ， V2 = GND / 10 V ;
参见图15
V1 = 10V / GND ， V2 = GND / 10 V ;
见图16
1000
1000
1000
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
I
S
（关） ，关闭输入漏
50
50
50
I
D
（ OFF ） ，关闭输出漏
ADG508A
ADG509A
I
D
（ ON）时，在信道泄漏
ADG508A
ADG509A
I
差异
，差分输出关
泄漏（ ADG509A只）
数字控制
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
t
过渡1
100
50
100
50
100
50
V1 = V2 = 10 V / GND ;
见图17
100
50
25
100
50
25
100
50
25
V1 = 10V / GND ， V2 = GND / 10 V ;
见图18
2.4
0.8
1
8
300
450
50
25
250
450
250
450
68
50
5
22
11
4
600
10
600
600
8
300
450
50
25
250
450
250
450
68
50
5
22
11
4
2.4
0.8
1
8
300
600
10
600
600
450
50
25
250
450
250
450
68
50
5
22
11
4
2.4
0.8
1
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的最大
纳秒（典型值）
V
IN
= 0至V
DD
V1 = 10V / GND ， V2 = GND / 10 V ;
见图19
见图20
见图21
见图21
V
EN
= 0.8 V ，R
L
= 1kΩ的，C
L
= 15 pF的，
V
S
= 3.5 V RMS， F = 100千赫
V
EN
= 0.8 V
V
EN
= 0.8 V
R
S
= 0 Ω, V
S
= 0 V ;参见图22
600
10
600
600
t
开放
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
1
关断隔离
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
dB典型值
分贝分钟
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pC的典型值
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG508A
ADG509A
Q
INJ
，电荷注入
修订版D |第16页5
AD [ ANALOG DEVICES ]
