ADG441/ADG442/ADG444–SPECIFICATIONS
1
双电源
(V
DD
=
+15 V
±
10%, V
SS
= –15 V
±
10%, V
L
= +5 V
±
10% ( ADG444 ) ,GND = 0V ,除非另有说明)
B版本
-40 ° C至
+25°C
+85°C
V
SS
到V
DD
40
70
85
4
9
1
3
40
70
T版
-55℃〜
+25°C
+125°C
V
SS
到V
DD
85
4
9
1
3
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
∆R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
t
开放
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
ADG441/ADG442
ADG444
I
SS
I
L
(仅ADG444 )
单位
V
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
Ω
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
µA
典型值
µA
最大
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
=
±
8.5 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= –13.5 V
–8.5 V
≤
V
D
≤
+8.5 V
V
D
= 0 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
= 15.5 V;
测试电路2
V
D
=
±
15.5 V, V
S
= 15.5 V;
测试电路2
V
S
= V
D
=
±
15.5 V;
测试电路3
±
0.01
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.08
±
0.5
±
3
±
3
±
3
2.4
0.8
±
0.00001
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.08
±
0.5
±
20
±
20
±
40
2.4
0.8
±
0.00001
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
85
110
45
60
30
1
6
60
100
4
4
16
170
80
85
110
45
60
30
1
6
60
100
4
4
16
170
80
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
=
±
10 V ;测试电路4
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
=
±
10 V ;测试电路4
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= 0 V ,R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的;
V
DD
= +15 V, V
SS
= –15 V;
测试电路5
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的;
F = 1兆赫;测试电路6
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的;
F = 1兆赫;测试电路7
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
数字输入= 0 V或5 V
80
0.001
1
0.0001
1
0.001
2.5
2.5
0.001
1
0.0001
1
0.001
80
2.5
2.5
µA
最大
µA
典型值
µA
最大
µA
典型值
µA
最大
µA
典型值
1
2.5
1
2.5
µA
最大
V
L
= +5.5 V
笔记
1
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ;牛逼的版本: -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
第0版