ADG431/ADG432/ADG433
120
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
V
L
= +5V
100
截止隔离 - 分贝
T
R
E
N
C
H
V
S
V
G
V
D
V
S
V
G
V
D
P
+
P沟道
P
+
N
–
T
R
E
N
C
H
N
+
N沟道
N
+
P
–
T
R
E
N
C
H
80
埋氧层
衬底（ BACKGATE ）
60
图9.沟槽隔离
应用
40
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
10M
图7.关断隔离与频率的关系
图10示出一个精确的，快速的采样和保持电路。一
AD845用作输入缓冲器，而输出运算
放大器是AD711 。在轨道模式下， SW1闭合
和输出电压V
OUT
跟随输入信号V
IN
。在保持
模式， SW1被打开，该信号是由保持电容器保持
ç器
H
.
由于对Hold开关和电容漏电，电压
电容器会随时间而减少。该ADG431 / ADG432 /
ADG433最大限度地减少这种下垂，由于其低漏规格
系统蒸发散。下降率是通过使用一个聚的进一步最小化
苯乙烯保持电容。所示的下降率的电路
通常30
μV / μs的。
第二开关SW2 ，经营并联SW1 ，是
包括在该电路中，以减少基底误差。由于这两种
开关将处于相同的电势，它们将有一个differen-
TiAl基上的运算放大器AD711这将最大限度地减少费用的影响
注射的效果。基底误差也被减小了补偿
化网络ř
C
和C
C
。这种补偿网络还
缩短保持时间毛刺，同时优化收购
时间。使用图示的运算放大器和元件值，该
基底误差为5毫伏以上的最大值
±
10 V
输入范围。无论是收购和建立时间是850纳秒。
+15V
+5V
2200pF
SW2
+15V
V
IN
AD845
–15V
S
S
SW1
D
D
R
C
75
C
C
1000pF
C
H
2200pF
+15V
AD711
110
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
V
L
= +5V
100
串扰 - 分贝
90
80
70
60
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
10M
图8.串扰与频率的关系
沟槽隔离
在ADG431A ， ADG432A和ADG433A ，绝缘
氧化物层（沟道）被放置在NMOS和PMOS之间
每一个CMOS的晶体管进行切换。寄生路口，这
在结隔离开关的晶体管之间发生，是
消除，其结果是一个完全闭锁防爆开关。
在结隔离中， PMOS的N和P井
从一个二极管的NMOS晶体管是反向偏置下
正常操作。然而，在过压的条件下，这
二极管正向偏置。硅控整流器
（SCR）的类型的电路是由两个晶体管使形成
当前的显著放大，这反过来，导致
闭锁。用沟槽隔离，该二极管被除去，则结果
被闩锁防爆开关。
V
OUT
–15V
ADG431
ADG432
ADG433
–15V
图10.快速，准确采样与保持
–6–
版本B
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