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ADG426 参数 Datasheet PDF下载

ADG426图片预览
型号: ADG426
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内容描述: LC2MOS 8位/ 16通道高性能模拟多路复用器 [LC2MOS 8-/16-Channel High Performance Analog Multiplexers]
分类和应用: 复用器
文件页数/大小: 12 页 / 381 K
品牌: AD [ ANALOG DEVICES ]
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ADG406/ADG407/ADG426–SPECIFICATIONS
双电源
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
ADG406 , ADG426
ADG407
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
ADG406 , ADG426
ADG407
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
B版本
-40 ° C至
+25°C
+85°C
V
SS
到V
DD
50
80
4
±
0.5
±
1
±
1
±
1
±
1
125
50
80
4
±
0.5
±
1
±
1
±
1
±
1
T版
-55℃〜
+25°C
+125°C
V
SS
到V
DD
125
1
(V
DD
= +15 V
±
10%, V
SS
= –15 V
±
的10% ,GND = 0V,除非另有说明)
单位
V
典型值
最大
典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
µA
最大
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
ns(最小值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
=
±
10 V,I
S
= -1毫安
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= –13.5 V
V
D
= 0 V,I
S
= -1毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
V
D
=
±
10 V, V
S
= 10 V ,测试电路2
V
D
=
±
10 V, V
S
= 10 V;
测试电路3
V
S
= V
D
=
±
10 V;
测试电路4
±
20
±
20
±
20
±
20
±
20
2.4
0.8
±
1
±
50
±
200
±
100
±
200
±
100
2.4
0.8
±
1
8
120
150
10
120
160
110
150
8
120
150
10
120
160
110
150
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
1
=
±
10 V, V
2
= 10 V;
测试电路5
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V ,测试电路6
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V ,测试电路7
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V ,测试电路7
250
10
175
225
130
180
100
100
10
100
250
10
175
225
130
180
100
100
10
100
先断后延时,T
开放
t
ON
( EN ,
WR )
t
关闭
( EN ,
RS)
ADG426只有
t
W
,把脉冲宽度
t
S
,地址,启用设置时间
t
H
,地址,使能保持时间
t
RS
,复位脉冲宽度
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
ADG406 , ADG426
ADG407
C
D
, C
S
(上)
ADG406 , ADG426
ADG407
电源要求
I
DD
I
SS
I
DD
I
SS
N
OTES
1
2
8
–75
85
5
50
25
60
40
1
5
1
5
100
200
500
1
5
8
–75
85
5
50
25
60
40
1
5
1
5
100
200
500
1
5
V
S
= +5 V
V
S
= 0 V ,R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的;
测试电路10
R
L
= 1千欧, F = 100千赫;
V
EN
= 0 V ,测试电路11
R
L
= 1千欧, F = 100 kHz时,测试电路12
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
pF的典型值
pF的典型值
µA
典型值
µA
最大
µA
典型值
µA
最大
µA
典型值
µA
最大
µA
典型值
µA
最大
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 0 V, V
EN
= 2.4 V
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ;牛逼的版本: -55 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
第0版