ADG419
单电源
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
过渡
DD
=
+12 V
10%, V
SS
= 0 V, V
L
= +5 V
B版本
-40 ℃〜
+25 C
+85 C
0到V
DD
40
60
±
0.1
±
0.25
±
0.1
±
0.75
±
0.4
±
0.75
的10％ ，GND = 0V，除非另有说明）
T版
-55 ℃〜
+25 C +125 C
0到V
DD
40
70
±
0.1
±
0.25
±
0.1
±
0.75
±
0.4
±
0.75
单位
V
Ω
典型值
Ω
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
µA
典型值
µA
最大
ns（最大值）
测试条件/评论
V
D
= 3 V， 8.5 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +10.8 V
V
DD
= +13.2 V
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
测试电路2
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 12.2 V/1 V;
测试电路3
±
5
±
5
±
5
2.4
0.8
±
0.005
±
0.5
±
15
±
30
±
30
2.4
0.8
±
0.005
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
180
250
170
250
先开后合式时间
延迟，T
D
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
L
60
60
纳秒（典型值）
80
90
13
65
0.0001
1
0.0001
1
80
70
13
65
0.0001
1
0.0001
1
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
µA
典型值
µA
最大
µA
典型值
µA
最大
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= 0 V/8 V, V
S2
= 8 V/0 V;
测试电路4
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= +8 V;
测试电路5
R
L
= 50
Ω,
F = 1兆赫;
测试电路6
R
L
= 50
Ω,
F = 1兆赫;
测试电路7
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +13.2 V
V
IN
= 0 V或5 V
V
L
= +5.5 V
2.5
2.5
2.5
2.5
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
表一，表真相
逻辑
0
1
开关1
ON
关闭
订购指南
开关2
关闭
ON
引脚配置
DIP / SOIC / SOIC
D
1
S1
2
8
S2
7
V
SS
ADG419
顶视图
GND
3
（不按比例）
6
IN
V
DD 4
5
V
L
模型
ADG419BN
ADG419BR
ADG419BRM
ADG419TQ
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
封装选项*
N-8
SO-8
RM-8
Q-8
* N =塑料DIP ， Q =陶瓷浸渍， RM =
μSOIC ，
SO = 0.15"小外形集成电路（ SOIC ） 。
REV 。一
–3–
AD [ ANALOG DEVICES ]
