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    ADG419BRMZ 参数 Datasheet PDF下载

    ADG419BRMZ图片预览
    型号： ADG419BRMZ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [LC2MOS Precision Mini-DIP Analog Switch]
    分类和应用： 开关
    文件页数/大小： 8 页 / 117 K
    品牌： AD [ ANALOG DEVICES ]
     浏览型号ADG419BRMZ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ADG419BRMZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ADG419BRMZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ADG419BRMZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ADG419BRMZ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ADG419BRMZ的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ADG419BRMZ的Datasheet PDF文件第8页  
    ADG419–SPECIFICATIONS
    1
    双电源
    参数
    模拟开关
    模拟信号范围
    R
    ON
    漏电流
    来源OFF漏我
    S
    （关闭）
    流掉泄漏我
    D
    （关闭）
    渠道渗漏我
    D
    , I
    S
    （上）
    数字输入
    输入高电压，V
    INH
    输入低电压，V
    INL
    输入电流
    I
    INL
    还是我
    INH
    动态特性
    2
    t
    过渡
    (V
    DD
    = +15 V
    10%, V
    SS
    = –15 V
    10%, V
    L
    = +5 V
    的10％ ，GND = 0V，除非另有说明）
    T版
    -55 ℃〜
    +25 C +125 C
    V
    SS
    到V
    DD
    25
    35
    ±
    0.1
    ±
    0.25
    ±
    0.1
    ±
    0.75
    ±
    0.4
    ±
    0.75
    45
    B版本
    -40 ℃〜
    +25 C
    +85 C
    V
    SS
    到V
    DD
    25
    35
    ±
    0.1
    ±
    0.25
    ±
    0.1
    ±
    0.75
    ±
    0.4
    ±
    0.75
    45
    单位
    V
    Ω
    典型值
    Ω
    最大
    nA的典型值
    nA的最大
    nA的典型值
    nA的最大
    nA的典型值
    nA的最大
    V分钟
    V最大
    µA
    典型值
    µA
    最大
    ns（最大值）
    测试条件/评论
    V
    D
    =
    ±
    12.5 V，I
    S
    = -10毫安
    V
    DD
    = +13.5 V, V
    SS
    = –13.5 V
    V
    DD
    = +16.5 V, V
    SS
    = –16.5 V
    V
    D
    =
    ±
    15.5 V, V
    S
    = 15.5 V;
    测试电路2
    V
    D
    =
    ±
    15.5 V, V
    S
    = 15.5 V;
    测试电路2
    V
    S
    = V
    D
    =
    ±
    15.5 V;
    测试电路3
    ±
    5
    ±
    5
    ±
    5
    2.4
    0.8
    ±
    0.005
    ±
    0.5
    ±
    15
    ±
    30
    ±
    30
    2.4
    0.8
    ±
    0.005
    ±
    0.5
    V
    IN
    = V
    INL
    或V
    INH
    160
    200
    145
    200
    先开后合式时间
    延迟，T
    D
    关断隔离
    通道到通道的串扰
    C
    S
    （关闭）
    C
    D
    , C
    S
    （上）
    电源要求
    I
    DD
    I
    SS
    I
    L
    30
    5
    80
    90
    6
    55
    0.0001
    1
    0.0001
    1
    0.0001
    1
    30
    5
    80
    70
    6
    55
    0.0001
    1
    0.0001
    1
    0.0001
    1
    纳秒（典型值）
    ns（最小值）
    dB典型值
    dB典型值
    pF的典型值
    pF的典型值
    µA
    典型值
    µA
    最大
    µA
    典型值
    µA
    最大
    µA
    典型值
    µA
    最大
    R
    L
    = 300
    Ω,
    C
    L
    = 35 pF的;
    V
    S1
    =
    ±
    10 V, V
    S2
    = 10 V;
    测试电路4
    R
    L
    = 300
    Ω,
    C
    L
    = 35 pF的;
    V
    S1
    = V
    S2
    =
    ±
    10 V;
    测试电路5
    R
    L
    = 50
    Ω,
    F = 1兆赫;
    测试电路6
    R
    L
    = 50
    Ω,
    F = 1兆赫;
    测试电路7
    F = 1 MHz的
    F = 1 MHz的
    V
    DD
    = +16.5 V, V
    SS
    = –16.5 V
    V
    IN
    = 0 V或5 V
    2.5
    2.5
    2.5
    2.5
    2.5
    2.5
    V
    L
    = +5.5 V
    笔记
    1
    温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
    2
    通过设计保证，不受生产测试。
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    –2–
    REV 。一

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