ADG419
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 15 V ± 10%, V
SS
= −15 V ± 10%, V
L
= 5伏±10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
B版本
-40 ° C至
-40 ° C至
+85°C
+125°C
V
SS
到V
DD
25
35
±0.1
±0.25
±0.1
±0.75
±0.4
±0.75
±5
±15
45
45
25
35
±0.1
±0.25
±0.1
±0.75
±0.4
±0.75
±15
T版
-55℃〜
+25°C +125°C
V
SS
到V
DD
45
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
D
= ± 12.5 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= −13.5 V
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= −16.5 V
V
D
= ±15.5 V, V
S
=
∓15.5
V;
见图12
V
D
= ±15.5 V, V
S
=
∓15.5
V;
见图12
V
S
= V
D
= ± 15.5 V ;参见图13
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
+25°C
单位
测试条件/评论
流掉泄漏，我
D
（关闭）
±5
±5
2.4
0.8
±0.005
±0.5
±30
±30
2.4
0.8
±0.005
±0.5
200
±30
±30
2.4
0.8
±0.005
±0.5
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
t
过渡
突破前先延时，T
D
160
30
5
80
90
6
55
0.0001
1
0.0001
1
0.0001
1
200
145
30
5
80
70
6
55
0.0001
1
0.0001
1
0.0001
1
200
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的; V
S1
= ±10 V,
V
S2
=
∓10
V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= ± 10 V ;参见图15
R
L
= 50 Ω ， F = 1MHz的;参见图16
R
L
= 50 Ω ， F = 1MHz的;参见图17
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= −16.5 V
V
IN
= 0 V或5 V
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
I
L
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
V
L
= 5.5 V
1
2
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 125°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本B |第16页3
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